张建中
- 作品数:22 被引量:0H指数:0
- 供职机构:华南师范大学更多>>
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- 相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>
- 新型硅激光器系统的优化设计
- 2007年
- 通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统。该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器。建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形。该系统可以集成在很小的CMOS器件上,实现光电子器件的集成化,有着广泛的应用前景。
- 尉然郭志友张建中刘松麟
- 关键词:泵浦光源波长可调双光子吸收
- 基于硅波导的喇曼光放大器
- 2006年
- 在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺,并且应用硅波导使器件小型化,根据法布里-帕罗(F-P)腔和行波放大器理论,在硅波导两端的解理面蒸镀增透膜,应用这种波导的喇曼效应设计了一种光放大器,即基于硅波导的喇曼光放大器。建立了计算放大器增益的方程,给出了不同波导长度和输入功率情况下的放大器增益,得出适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论。基于硅的光放大器有较高的饱和功率且没有泵浦源的限制,通过调整泵浦激光的波长可以放大不同波长的信号光。
- 张建中郭志友尉然
- 关键词:喇曼放大器受激喇曼散射
- Ⅲ-V族双极型发光晶体管研究
- 发光晶体管是一种新型的半导体发光器件。阐明了一种双极型发光晶体管的发光原理,对该类器件在材料、结构、性能等方面的研究作了总结,对其应用进行了介绍。
- 郭志友张建中尉然
- 关键词:发光晶体管结构特征异质结
- 文献传递
- 一种大功率发光晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法,第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6),低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5),第一高浓度n型层(10)和本征...
- 郭志友赵华雄孙慧卿曾坤高小奇张建中范广涵
- 文献传递
- 半导体异质结及其发光晶体管
- 本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层,所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层上,所述有源层渐...
- 郭志友张建中孙慧卿范广涵
- 文献传递
- 一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞制备方法
- 本发明是一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞的制备方法。包括有如下步骤:1)用高能球磨机将纯Si和掺入的GaP按照比例混合,在球磨0~10小时后加入0.1%~1.5%摩尔比例的Sb以及0.5%~1.5%P;2)共球磨33小...
- 何琴玉李炜王银珍曾葆清王文忠胡社军张建中朱诗亮
- 高亮度发光晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种高亮度发光晶体管,包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的...
- 郭志友张建中孙慧卿范广涵
- 文献传递
- 半导体异质结及其发光晶体管
- 本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层,所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层上,所述有源层渐...
- 郭志友张建中孙慧卿范广涵
- 文献传递
- 密度泛函理论
- 密度泛函理论(DFT)已经在计算凝聚态物理、计算材料科学和计算量子化学以及相对论的研究等诸多领域都取得了巨大的成功并且获得广泛应用。它是一种主要用来处理非均匀相互作用多粒子体系的近似方法。但是,它也有自身一些比较突出的弱...
- 林竹郭志友毕艳军张建中
- 关键词:密度泛函理论激发态强关联系统
- 文献传递
- ppn型发光晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管,包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p<Sup>-</Sup>型基区层,与p...
- 郭志友张建中孙慧卿范广涵
- 文献传递