您的位置: 专家智库 > >

张治超

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:中南大学更多>>
发文基金:湖南省科技计划项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇SICN
  • 1篇C2H2
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇周继承
  • 1篇张治超
  • 1篇彭银桥

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
C_2H_2流量对SiCN薄膜结构及阻挡性能的影响被引量:1
2011年
采用C2H2和N2作为反应气体、多晶Si作为靶材,利用射频磁控溅射系统沉积了SiCN薄膜。利用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等研究了C2H2流量对薄膜结构、介电常数以及阻挡性能的影响。结果表明,薄膜为非晶结构,1000℃退火下未出现结晶,稳定性很好;随着C2H2流量的增大,薄膜表面颗粒呈现增大趋势;C原子取代Si原子占据薄膜中的网络位置,薄膜形成了以C-N键为主的网络结构;制得的SiCN薄膜介电常数在4.2~5.8之间,C,N含量以及薄膜结构是影响介电性能的关键因素,高温使得Cu穿过薄膜中的缺陷与Si发生互扩散是薄膜阻挡性能失效的主要原因。
张治超周继承彭银桥
关键词:射频磁控溅射SICNC2H2
共1页<1>
聚类工具0