李效民
- 作品数：178 被引量：190H指数：8
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
- 本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、方法及应用。本发明的目的是通过在硅衬底上依次外延生长TiN，MgO或SrTiO<Sub>3</Sub>作为结构调节层，贵金属和导电氧化物为电极导电层，掺杂稀土锰氧化物为电阻转...
- 于伟东李效民陈同来吴峰
- 文献传递
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜p型导电和光学性能被引量：10
- 2006年
- 采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。
- 张霞李效民陈同来于伟东高相东张灿云赵俊亮
- 关键词：导电性能光致发光
- 钴掺杂锡酸锶(SrSnO_3)陶瓷的制备与微结构表征研究被引量：1
- 2017年
- 采用自蔓延燃烧合成结合高温固相反应法制备了Co掺杂SrSnO_3陶瓷粉体及薄片,以XRD、SEM、TEM、EDS、UPS等手段表征了其晶体结构、微观化学组成、形貌及能带结构,系统考察了Co掺量、煅烧温度对结晶性的影响。结果表明,SrSnO_3陶瓷在Co掺量为0.5、煅烧温度1250℃时具有较高结晶质量及相纯度。陶瓷由具有规则几何外形的单晶颗粒(500 mm^2μm)及不规则多孔多晶颗粒(5~10μm,一次晶粒尺寸100~200 mm)共同构成,高温煅烧过程中元素Co、Sr的挥发可能是多孔多晶颗粒形成的主要原因。紫外光电子能谱测试表明,Co掺量为0.5的SrSnO_3陶瓷价带位置为1.03eV,功函数为2.997eV。
- 余昌江余爱民张勇虎学梅高相东李效民
- 关键词：掺杂陶瓷
- 一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法
- 本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件，特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极，以ZnO薄膜为中间层，以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M...
- 李效民张锋于伟东高相东何邕甘小燕吴亮
- 一类氧化物多层梯度薄膜及其构建的RRAM元器件
- 本发明提供一种用于电阻式随机存取存储器(RRAM)元器件的氧化物多层梯度薄膜，所述的梯度薄膜具有电阻转变特性，所述的氧化物多层梯度薄膜具有电阻转变特性，其组成通式为：MO<Sub>x－δ</Sub>/MO<Sub>x－δ...
- 李效民刘新军王群曹逊杨蕊于伟东陈立东
- 文献传递
- 重新发现ZnO——一种大有前途的多功能晶体材料被引量：3
- 2004年
- ZnO是一种传统的多功能材料 .近年来 ,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点 .本文从纳米ZnO、GaN基片ZnO和体单晶生长等角度介绍了它的最新研究进展 .
- 李新华徐家跃李效民
- 关键词：晶体材料单晶生长衬底材料基片纳米ZNO
- 一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法，所述碘化铅和氧化铅复合物薄膜的组成包括碘化铅和氧化铅，优选碘化铅和氧化铅之间的摩尔比为1:1~1:6。本发明属于薄膜制备领域，本发明旨在进一步拓展光电半导体薄膜的种类、...
- 李效民丁绪坤高相东张树德
- 文献传递
- 在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法
- 本发明涉及一种在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用脉冲激光沉积法沉积钌酸锶薄膜，通过调节沉积脉冲激光沉积法的氧分压，实现对钌酸锶薄膜的居里温度的调节。
- 王炜李效民杨明敏朱秋香高相东
- 文献传递
- 脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究被引量：4
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrIn_xTi_(1-x)O_3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO_3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能、表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.
- 张亦文李效民赵俊亮于伟东高相东吴峰
- 关键词：脉冲激光沉积法SRTIO3薄膜缓冲层结晶度
- CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能被引量：4
- 2008年
- 采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50～100nm的较大颗粒和20～30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400～800nm波段的透过率为50%～70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S_2O_3^(2-)与Cu^(2+)的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜.
- 高相东李效民于伟东邱继军甘小燕
- 关键词：CUSCN光学性能
