2024年12月24日
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牛智川
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362
被引量:242
H指数:6
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中国科学院半导体研究所
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合作作者
徐应强
中国科学院半导体研究所
倪海桥
广西大学
张宇
中国科学院半导体研究所
王国伟
中国科学院半导体研究所
尚向军
中国科学院半导体研究所
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牛智川
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20篇
2005
共
362
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双色异质结光电晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双色异质结光电晶体管,包括:衬底;外延层,设置于衬底上,外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层,第一接触层上设有第一台阶,第二接触层上设有第二台阶;...
林芳祁
牛智川
徐应强
王国伟
李农
周文广
蒋洞微
蒋俊锴
常发冉
陈伟强
李勇
红外探测器及其制备方法
本发明涉及一种红外探测器,包括:衬底;沉积于所述衬底上的外延结构包括:P型掺杂缓冲层,形成于衬底上;长波红外单元,形成于P型掺杂缓冲层上,所述长波红外单元形成P‑π‑M‑N结构,用于吸收长波红外线;N型公共接触层,形成于...
周文广
牛智川
徐应强
王国伟
蒋洞微
蒋俊锴
常发冉
李农
林芳祁
崔素宁
陈伟强
一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源...
张宇
邢军亮
徐应强
任正伟
牛智川
文献传递
一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法
本公开提供了一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法,包括:GaSb衬底,以及在GaSb衬底上依次外延生长的下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层以及上接触层;其中,有源级联区包含多个周期,每个周期包含注入...
张一
牛智川
张宇
徐应强
杨成奥
谢圣文
邵福会
尚金铭
文献传递
单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法
一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法,该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括:单光子源器件样片,具有多个单光子源单元,所述单光子源单元能够发射单光子;光纤阵列,包括多根光纤,耦合至所述单光子源器件样片的上...
马奔
陈泽升
尚向军
倪海桥
牛智川
一种红外探测器及其制备方法
本发明涉及一种红外探测器及其制备方法,属于探测器技术领域,该探测器包括:衬底,所述衬底包括光子晶体阵列,所述光子晶体阵列位于所述衬底的底部,所述光子晶体阵列包括n组四色探测单元,一组所述四色探测单元包括四个不同波段的光子...
郝宏玥
牛智川
徐应强
王国伟
蒋洞微
吴东海
文献传递
一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法
本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括:在晶片上涂覆电子束胶;将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘;利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形;对晶片进行电子束曝光和显影,以完成包含梯形补偿图形的光栅结构...
王莉娟
喻颖
査国伟
徐建星
倪海桥
牛智川
文献传递
利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器
被引量:1
2020年
通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作,阈值电流密度为110 A/cm^-2,在80℃下仍然可以实现连续工作,在50℃以下范围内,特征温度达到405 K.
袁野
苏向斌
杨成奥
张一
尚金铭
谢圣文
张宇
倪海桥
倪海桥
牛智川
关键词:
量子点激光器
分子束外延
中红外
GaAs/AlGaAs(110)量子阱中电子g因子的各向异性
钱轩
谷晓芳
倪海桥
牛智川
姬扬
分立量子点纳米发光器件机理及制备技术研究
2017年
国家重大科学研究计划纳米专项“分立量子点可控高效纳米发光器件机理及制备基础研究”主要基于纳米尺度分立量子点结构研制单光子等量子光源器件,面向量子计算及量子保密通信等颠覆性信息技术应用。项目由中国科学院半导体研究所负责,其他参加单位有中国科学技术大学、电子科技大学、中科院长春光机所、华中科技大学等。
牛智川
王志明
陆朝阳
佟存柱
尚向军
关键词:
发光器件
中科院长春光机所
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