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王小锦

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇亚胺
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇透明电极
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇薄膜应力
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO:AL
  • 1篇ZNO:AL...
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底材料
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇王小锦
  • 1篇黄迪秋
  • 1篇曾祥斌
  • 1篇李青
  • 1篇张笑

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
玻璃和聚酰亚胺衬底上磁控溅射沉积的ZnO:Al透明导电膜的结构、电学和光学性能(英文)被引量:3
2012年
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明,衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响,对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性,在可见光区(400~800nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的(002)衍射峰及相对更小的半峰全宽(FWHM),薄膜电阻率达到了2.352×10-4Ω.cm。电镜分析表明,相对于PI上的ZnO∶Al膜,玻璃上ZnO∶Al膜表面有更致密的微观结构及更大的晶粒尺寸。PI衬底上的ZnO∶Al膜也有相对较好的电、光学性能,其中电阻率达到了6.336×10-4Ω.cm,而且由于PI衬底柔性可弯曲,使得它适于在柔性太阳电池和柔性液晶显示中做窗口层材料及透明导电电极。玻璃上的ZnO∶Al膜则可应用在平板显示和太阳电池技术中。
王小锦曾祥斌黄迪秋张笑李青
关键词:射频磁控溅射衬底材料
柔性薄膜太阳电池用ZnO:Al薄膜的制备与表征
ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族宽带隙直接带隙半导体材料,有优异的压电、光电、压敏等特性,ZnO掺杂近年来受到了广泛的关注。掺铝ZnO (ZnO: Al)作为透明导电氧化物(Transparent conductive oxide, ...
王小锦
关键词:ZNO:AL聚酰亚胺薄膜应力透明电极
文献传递
共1页<1>
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