王爱玲
- 作品数：8 被引量：20H指数：3
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Ag掺杂AlN半导体光电性质的第一性原理研究被引量：6
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对Ag掺杂AlN 32原子超晶胞体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、磁性和光学性质.结果表明:Ag掺杂后,Ag4d态电子与其近邻的N2p态电子发生杂化,引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,使体系的导电能力增强,同时表现出金属性和弱磁性,其净磁矩为1.38μв.掺杂形成的N-Ag键电荷集居数较小,表现出强的离子键性质.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收谱在低能区出现新的峰值,同时复折射率函数在低能区发生变化,吸收边向低能方向延展,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.
- 邓军权毋志民王爱玲赵若禺胡爱元
- 关键词：铁磁性光学性质第一性原理
- GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展被引量：2
- 2013年
- 综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
- 王爱玲毋志民王聪赵若禺
- 关键词：晶体结构
- Mn和Mn-Cd掺杂GaN物性的第一性原理研究
- 作为第三代半导体材料的代表，GaN基半导体材料因有宽的直接带隙，高的击穿场强，高的热导率和非常好的物理、化学及热稳定性，成为制备短波长光电器件、高温器件和高频大功率器件的首选材料，采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势...
- 王爱玲毋志民
- 关键词：氮化镓第一性原理光学性质磁学性质居里温度
- 文献传递
- 新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究被引量：10
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875Mn0.125)As,Li1.1(Zn0.875Mn0.125)As和Li0.9(Zn0.875Mn0.125)As均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性,Li过量和不足下体系的半金属性明显增强.Li过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明LiZnAs半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到Li的化学计量数的影响.
- 王爱玲毋志民王聪胡爱元赵若禺
- 不同降温速率对大尺寸铜纳米团簇热力学性质的影响
- 毋志民王爱玲王聪
- 关键词：分子动力学熔化
- 不同降温速率对大尺寸贵金属纳米团簇热力学性质的影响
- 采用分子动力学方法和原子嵌入模型势模拟了大尺寸贵金属纳米团簇Au_N、Ag_N、Cu_N和Pt_N(N=2340,2448,2616,2760,2916)的熔化和凝固过程。模拟结果表明具有较多原子数的团簇的熔点随团簇尺寸...
- 毋志民王爱玲周明发田健熊建波贾志林
- 新型稀磁半导体Cr掺杂LiZnAs的电磁特性研究
- 毋志民王爱玲邓军权胡爱元赵若禺
- 不同浓度Cu掺杂AlN的电子结构和光学性质研究被引量：4
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对理想纤锌矿Al N及不同浓度的Cu掺杂Al N的超晶胞结构进行了几何优化,计算并分析了它们的电子结构、磁电性质和光学性质.结果表明,随着Cu掺杂浓度的增加,Cu 3d态电子与其近邻的N 2p态电子杂化减弱,体系由直接带隙半导体的半金属铁磁性向间接带隙半导体的金属性转变,体系磁矩减弱,最后消失.Cu掺杂后体系介电函数虚部和复折射率函数在低能区发生明显变化,增强了体系对低频电磁波的吸收.当Cu浓度增加时体系对高频电磁波的吸收也随之加强.
- 邓军权毋志民王爱玲赵若禺胡爱元
- 关键词：铁磁性光学性质第一性原理
