王雪敏
- 作品数：6 被引量：14H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信理学更多>>
- 电子注入对CdSe探测器性能的影响
- 2002年
- 研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺 ,并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现 ,CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流 ,减小探测器噪声 ,提高探测器能量分辨率 .制备出的CdSe室温核辐射探测器对2 4 1Am 5 9.5keV和10 9Cd87keVγ射线的能量分辨率分别为 9.6 %和 7.5 % .
- 王雪敏朱世富赵北君金应荣陈松林何福庆彭秀峰龙先灌
- 关键词：核辐射探测器电子注入能量分辨率
- CdSe探测器的制备与性能被引量：3
- 2003年
- 通过测定CdSe室温核辐射探测器的伏安曲线和能谱特性,对探测器制作过程中的表面处理工艺进行了初步研究,结果表明通过适当的表面腐蚀和钝化处理,可以降低表面漏电流,减小探测器噪声,达到提高探测器能量分辨率的目的。
- 王雪敏朱世富赵北君金应荣邵双运宋芳李奇峰
- 关键词：能量分辨率半导体探测器
- 硒化镉（CdSe）单晶体及其核辐射探测器的制备
- 硒化镉/(CdSe/)是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，常温下呈深灰色，具有立方/(C/_/(6V/)~4点群/)和六方/(43m点群/)两种结构。六方结构的硒化镉晶体是纤锌矿结构。由于CdSe具有较大的平均原子序...
- 王雪敏
- 关键词：晶体生长表面处理工艺
- 文献传递
- CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流被引量：2
- 2002年
- 对具有金属 -半导体 -金属 (MSM)结构的 Cd Se探测器的噪声进行了实验观测 ,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析 ,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的 .因此只有改变正极接触 ,才能有效地阻止空穴注入 ,从而消除探测器噪声 .
- 金应荣朱世富赵北君王雪敏宋芳李奇峰何福庆彭秀峰龙先灌
- 关键词：核辐射探测器漏电流噪声
- 碲锌镉单晶生长的研究被引量：5
- 2000年
- 新型室温核辐射探测器材料碲锌镉 (CZT)单晶具有广泛而重要的用途 .概述了 CZT单晶的生长技术及其取得的成果 ,并用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为 2 0× 4 5 mm的 Cd0 .96 Zn0 .0
- 李奇峰金应荣朱兴华邵双运王雪敏宋芳朱世富赵北君李正辉
- 关键词：CZT单晶体
- 富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性被引量：4
- 2001年
- 用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电荷储存起来。分析认为 ,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由 Se空位引起的 .
- 金应荣朱世富赵北君邵双运李奇峰王雪敏于丰亮宋芳
- 关键词：气相生长电子陷阱电学特性
