石文强
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术医药卫生电子电信更多>>
- 栅氧退化效应下纳米级[微软用户1]SRAM单元临界电荷分析
- 集成电路工艺已经发展到纳米量级，在纳米级工艺下，芯片集成度不断提高，电压不断降低，软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。与此同时，晶体管的氧化层随着特征尺寸的降低而越来越薄，在较高的电场压力下栅氧退化效应越来越严重...
- 金作霖张民选孙岩石文强
- 关键词：集成电路SRAM单元
- 文献传递
- 预测转录因子结合位点突变对基因表达的影响
- 随着DNA测序技术的发展，病人的全基因组DNA突变分析成为当前的研究热点。目前的研究主要分析位于编码区的DNA突变，但编码区只占人类基因组的2％。全基因组关联分析发现约88％的疾病相关联DNA突变位于非编码区并且富集于基...
- 石文强
- 多核Cache替换策略模型研究
- 随着半导体工艺技术的进步,片上集成多个处理器已经成为可能。与单核处理器相比,多核处理器(CMP, Chip Multi-Processor)由于其在系统吞吐率、功耗效率、扩展性等方面的优势,已成为主流体系结构。多核下,应...
- 石文强
- 关键词：多核MARKOV链
- Cache动态插入策略模型研究
- 多核下末级Cache容量、组相联数不断增大,传统Cache替换算法LRU会出现Cache死块增多、Cache有效利用率下降等问题.Cache动态插入策略可以有效地避免LRU算法中出现的这些问题,因而受到了广泛的关注.但是...
- 石文强倪晓强金作霖张民选
- 关键词：多核处理器缓冲存储器
- 文献传递
- 面向虚拟共享域划分的自适应迁移与复制机制
- 2013年
- 传统数据管理机制无法感知分布式cache布局的非一致访问延迟特性,导致多核处理器大容量cache失效率和命中延迟之间的矛盾日益加剧.此外,单独依靠数据迁移和盲目复制难以解决共享数据块的竞争访问与长延迟命中问题.基于瓦片式多核处理器分布式cache的虚拟共享域划分机制,提出并实现一种域间数据自适应迁移与复制机制,能够协同感知本地目标bank候选牺牲块状态和远程命中块的局部活跃程度,在多个虚拟共享域间对多核竞争访问的共享数据进行动态迁移和复制决策,综合权衡片上长延迟命中和cache容量有效利用率问题,降低平均存储访问延迟.最后,在全系统模拟器中实现虚拟共享域划分和域间共享数据自适应迁移-复制机制,并采用典型测试程序包SPLASH-2评估性能优化情况.实验表明,与传统固定共享域划分机制和同类优化机制相比,自适应迁移与复制机制在不同共享度下均可获得相应性能提升,面积开销可以忽略不计.
- 黄安文石文强高军张民选
- 关键词：多核处理器迁移
- 一种基于自适应迭代多阶小波系数的辐射源个体识别方法
- 本发明公开了一种基于自适应迭代多阶小波系数的辐射源个体识别方法，该方法为：将修正后的辐射源I、Q序列作为信号样本，并分别在I、Q路上进行多阶小波分解；针对不同信号样本计算小波分解的最优层数，得到I、Q路序列最优层数的小波...
- 雷迎科石文强金虎滕飞王津冯辉潘必胜张孟伯钱锋王友瑞彭闯
- 栅氧退化效应下纳米级SRAM单元临界电荷分析
- 集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下,芯片集成度不断提高,电压不断降低,软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。与此同时,晶体管的氧化层随着特征尺寸的降低而越来越薄,在较高的电场压力下栅氧退化效应越来越严重...
- 金作霖张民选孙岩石文强
- 关键词：软错误SRAM单元
- 文献传递
- Cache动态插入策略模型研究
- 2013年
- 多核下,末级Cache容量、组相联数不断增大,传统Cache替换算法LRU会出现Cache死块增多、Cache有效利用率下降等问题。Cache动态插入策略可以有效地避免LRU算法中出现的这些问题,因而受到了广泛的关注。但是,目前对Cache插入策略的研究只停留在策略水平上,缺乏定量的模型研究。针对此问题,提出了一个Cache插入策略的解析模型,该模型以应用的重用信息为输入,使用状态概率递归计算的方法,可预测不同插入策略下Cache的失效率。SPEC2006模拟验证表明,模型的精度较高,最大绝对误差为15.6%,平均绝对误差为3.1%。
- 石文强倪晓强金作霖张民选
- 栅氧退化效应下纳米级SRAM单元临界电荷分析被引量：1
- 2013年
- 集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下,芯片集成度不断提高,电压不断降低,软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。与此同时,晶体管的氧化层随着特征尺寸的降低越来越薄,在较高的电场压力下栅氧退化效应越来越严重。软错误问题和栅氧退化问题是集成电路当前和未来所面临的两个可靠性挑战。首先通过建立解析模型的方法分析了栅氧退化效应对SRAM单元临界电荷的影响,然后对65nm的SRAM单元在不同栅氧退化程度下的临界电荷大小进行了SPICE模拟。解析模型和模拟实验的结果都表明,栅氧退化效应越严重,SRAM单元的临界电荷越小,二者之间呈近似的指数关系。模拟实验还表明,在同一栅氧退化程度下,不同工艺水平的SRAM单元的软错误率呈线性关系。
- 金作霖张民选孙岩石文强
- 关键词：软错误SRAM单元
- Cache动态插入策略模型研究
- 多核下,末级Cache容量、组相联数不断增大,传统Cache替换算法LRU会出现Cache死块增多、Cache有效利用率下降等问题。Cache动态插入策略可以有效地避免LRU算法中出现的这些问题,因而受到了广泛的关注。但...
- 石文强倪晓强金作霖张民选
- 文献传递
