石瑛
- 作品数：28 被引量：52H指数：5
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
- Ag/Cu离子先后注入形成合金和核壳结构纳米颗粒
- 2004年
- 具有核壳结构的纳米颗粒由于它独特的性质已经成为目前材料科学研究的热点.本文介绍用离子注入并退火的方法制备核壳结构的纳米颗粒.Ag/Cu离子以1:3的剂量比先后注入到非晶SiO2中形成了Ag-Cu合金纳米颗粒.当样品在还原气氛中600℃退火后,光学吸收谱在400nm附近出现了一个新峰,透射电子显微镜(TEM)观察发现纳米颗粒中心出现亮的衬度,相应的选区电子衍射(SAED)出现了两套斑点,因而形成了Ag-Cu合金核Cu壳纳米颗粒.用Mie理论模拟了核壳结构光学吸收谱,其结果与实验符合较好.
- 任峰蒋昌忠张丽石瑛付强
- 关键词：离子注入纳米复合材料核壳结构
- 注入温度对Mn+注入p-GaN薄膜的结构和磁性影响
- 在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压 MOCVD 法生长 p 型 GaN 外延层．对 p 型 GaN 薄膜用180kev 的 Mn离子注入进行磁性粒子掺杂,注入剂量保持为 5．0×10cm,但注入时 p 型 GaN 分别...
- 石瑛蒋昌忠范湘军
- 关键词：GAN离子注入磁性
- 文献传递
- 金属离子注入玻璃形成纳米晶体及其光学透射率研究
- 在石英玻璃中注入Ag离子,透射电镜原位现测表明从4×10ions/cm 剂量开始出现直径在2～3nm 的Ag 纳米晶体。纳米晶体的大小和密度随注入剂量和退火温度的增加而增加。注入Ag和Cu离子样品的光学透射率测量结果表明...
- 蒋昌忠曹旸石瑛付强
- 关键词：离子注入纳米晶体
- 文献传递
- Ag、Cu离子先后注入SiO_2玻璃后形成纳米颗粒的光学性质研究被引量：3
- 2003年
- 采用由金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA)引出的强束流脉冲Ag、Cu离子,先后注入到SiO2玻璃。注入的剂量均为5×1016ions/cm2,Ag的加速电压为43kV,Cu的加速电压为30kV。光学吸收谱显示吸收峰的位置在442nm,可以推测Ag、Cu在SiO2玻璃表层形成了纳米合金。借助X射线光电子能谱仪(XPS)考察注入样品的价态分布,观察到Ag、Cu仍大多以金属态形式存在。对样品进行退火后,发现光学透射率发生了明显的变化。
- 陈海波蒋昌忠石瑛付强
- 关键词：表面等离子体光学性质SIO2玻璃XPS光开关
- Si1-xGex/Si表面合金结构的掠入射X射线衍射(GIXRD)研究
- 在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的500nm厚的SiGe合金层进行了表面结构分析。研究发现:对外延生长后未退火的...
- 石瑛赵蓉蒋昌忠
- 文献传递
- 注入剂量对300℃下Mn^+注入p型GaN薄膜的结构和磁性影响被引量：1
- 2006年
- 在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层。对p型GaN薄膜用180keV的Mn+离子注入进行磁性粒子掺杂,注入时GaN薄膜处于300℃,注入剂量分别为5.0×1015、1.0×1016和5.0×1016cm-2。对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理,温度为850℃,时间为30s。用超导量子干涉仪(SQUID)对样品的磁性进行了分析,在5.0×1015cm-2的注入样品中发现了较强的铁磁性;而1.0×1016和5.0×1016cm-2的Mn+离子注入样品中铁磁响应有所减弱。结合用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对在不同剂量下Mn+注入GaN薄膜的结构、形貌和成分的分析,揭示了不同剂量磁性离子注入给GaN薄膜带来的结构、形貌和相应的铁磁性变化规律,发现只有适当的注入剂量(5.0×1015cm-2)才有利于在300℃下用180keV的Mn+注入对p型GaN薄膜进行磁性离子掺杂。
- 石瑛蒋昌忠付强范湘军
- 关键词：GAN离子注入铁磁性
- 测量计算金属-半导体接触电阻率的方法被引量：14
- 2008年
- 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。
- 李鸿渐石瑛
- 关键词：金属-半导体接触接触电阻率传输线模型
- Si1-xGex/Si表面合金结构的掠入射X射线衍射（GIXRD）研究
- 在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射（GIXRD）技术,对在单晶Si（001）衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50厚的SiGe合金层进行了表面结构分析。研究发现:对外延生长后未退火的SiG...
- 石瑛蒋昌忠范湘军
- 文献传递
- 还原气氛退火对Ag-Cu纳米颗粒光学吸收的影响被引量：5
- 2003年
- 经43kV和30kV加速后的Ag、Cu离子按相同的剂量在室温下先后注入到非晶SiO2玻璃.用X射线光电子能谱(XPS)分析注入样品的价态分布,发现Ag、Cu仍以金属态形式存在.注入后光学吸收谱显示吸收峰的位置在442nm,说明在该实验条件下,SiO2玻璃表层很有可能形成了Ag Cu纳米合金颗粒.样品在还原气氛下从300～800℃每隔100℃退火1h后,发现等离子体共振吸收峰的位置发生了蓝移并在500℃时出现双峰,表明退火过程中Ag Cu纳米合金颗粒开始分解成Ag和Cu纳米颗粒.随着退火温度的上升,Ag、Cu纳米颗粒生核生长,当退火温度高于600℃时Cu颗粒尺寸变小,当退火温度高于700℃时Ag颗粒才开始变小.
- 任峰陈海波蒋昌忠张丽石瑛
- 关键词：纳米复合材料AGCU光学吸收蓝移
- Mn^+离子注入GaN薄膜的磁性研究被引量：2
- 2005年
- 在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN。GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层。用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2。对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30~90s。样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析。未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015~5×1016ions/cm2)。结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制。
- 石瑛付德君林玲蒋昌忠范湘军
- 关键词：GAN离子注入磁性
