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秦明升

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇吸收材料
  • 3篇光谱
  • 2篇带隙
  • 2篇镀膜
  • 2篇振荡器
  • 2篇能级
  • 2篇硫化
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇滑石
  • 2篇光谱吸收
  • 2篇光学
  • 2篇光学带隙
  • 2篇氨水
  • 2篇半导体
  • 2篇硫
  • 2篇镉
  • 2篇超薄

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇秦明升
  • 11篇黄富强
  • 8篇李爱民
  • 8篇张雷
  • 8篇王耀明
  • 8篇朱小龙
  • 6篇谢宜桉
  • 4篇刘战强
  • 3篇杨重寅
  • 2篇陈平
  • 1篇刘玉峰

传媒

  • 1篇第十二届固态...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法
本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB<Sub>1-x</Sub>Q<Sub>x</Sub>C<Sub>2</Sub>，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，...
黄富强秦明升刘战强朱小龙李爱民张雷王耀明杨重寅
文献传递
一种二维纳米级超薄滑石片及其制备方法
本发明涉及一种二维纳米级超薄滑石片及其制备方法，所述二维纳米级超薄滑石片的横向尺寸为50 nm～2μm，厚度方向尺寸为1 nm～30 nm；横向尺寸和厚度方向尺寸的比例为（50～2000）：1；优选地，所述二维纳米级超薄...
黄富强梁晨亮秦明升
中间带半导体的理论设计及其制备
当在半导体材料带隙中引入半满的中间带后,电子从价带激发到导带,另外电子从价带激发到中间带的空带以及从中间带的满态激发到导带(原理见图1)。中间带材料在提高电池电流密度的同时开路电压仍由主体材料的带隙决定,具有63.1%的...
陈平秦明升方爱华陈海杰黄富强
关键词：第一性原理光吸收
一种二维纳米级超薄滑石片及其制备方法
本发明涉及一种二维纳米级超薄滑石片及其制备方法，所述二维纳米级超薄滑石片的横向尺寸为50 nm～2μm，厚度方向尺寸为1 nm～30 nm；横向尺寸和厚度方向尺寸的比例为（50～2000）：1；优选地，所述二维纳米级超薄...
黄富强梁晨亮秦明升
文献传递
铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法
本发明涉及铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括：依次形成于玻璃基片上的N型透明导电膜、和N型宽带隙半导体微粒多孔膜；在所述N型宽带隙半导体微粒多孔膜的孔隙内和表面原位生成从而与其复合的铜铟镓硫硒...
黄富强王耀明朱小龙张雷李爱民秦明升刘战强谢宜桉
CuInS2中间带吸收材料调控及宽光谱吸收
秦明升陈平杨重寅黄富强
一种化学水浴法制备大尺寸硫化镉薄膜的方法
本发明涉及一种化学水浴法制备大尺寸硫化镉薄膜的方法，包括：将至少一块衬底以将其中不需镀膜的一面封闭的方式固定于反应容器中；向所述反应容器内注入含有镉盐、硫源、氨水、和去离子水的反应溶液后将所述反应容器密封，其中所述反应溶...
黄富强李爱民王耀明朱小龙秦明升张雷谢宜桉
文献传递
一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法
本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB<Sub>1‑x</Sub>Q<Sub>x</Sub>C<Sub>2</Sub>，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，...
黄富强秦明升刘战强朱小龙李爱民张雷王耀明杨重寅
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CIGS薄膜太阳能电池组件Mo背电极的激光划线方法
本发明涉及一种CIGS薄膜太阳能电池组件Mo背电极的激光划线方法，使用激光器对制备在玻璃衬底上的作为背电极的Mo膜进行切割，所述激光器发出的激光的入射方向为先通过所述玻璃衬底再照射在Mo膜的表面上。采用本发明，可提高CI...
黄富强张雷王耀明朱小龙李爱民秦明升谢宜桉
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用于制备黄铜矿型薄膜太阳电池吸收层的退火设备
本实用新型涉及一种用于制备黄铜矿型薄膜太阳电池吸收层的退火设备，包括：连续补料单元，其包括硫族介质发生装置和与该装置连通的载气供给通路，硫族介质发生装置包括硫族介质源以及加热硫族介质源的加热单元，硫族介质包括硫和/或硒，...
黄富强朱小龙王耀明李爱民秦明升张雷刘战强谢宜桉
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