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穆甫臣: 作品数：21 被引量：49H指数：4; 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>; 发文基金：北京市科技新星计划国家教育部博士点基金国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟被引量：2: 1998年; 用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。; 张万荣罗晋生李志国孙英华穆甫臣程尧海陈建新沈光地; 关键词：异质结截止频率最高振荡频率 HBT

超薄栅n-MOSFETs热载流子寿命预测模型被引量：1: 2001年; 对氧化层厚度为 4和 5 nm的 n- MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验 ,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化 .在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型 ,此模型适用于氧化层厚度为 4— 5; 穆甫臣许铭真谭长华段小蓉; 关键词：热载流子效应 N-MOSFET 场效应晶体管

半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层被引量：11: 1998年; 为提高半导体器件欧姆接触的可靠性，一般要在金属化系统中加扩散阻挡层。本文介绍了扩散阻挡层的种类及其特性，并进行了比较和讨论。最后给出了在实际成功应用的例子。; 张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地; 关键词：欧姆接触扩散阻挡层半导体器件可靠性

对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进被引量：2: 1999年; 本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源电压的函数 ); 穆甫臣李志国张万荣郭伟玲孙英华严永鑫; 关键词：MESFET 半导体器件

4-9nm n-MOSFETs热载流子退化及寿命预测: 本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测.; 穆甫臣许铭真谭长华段小蓉; 关键词：MOS器件热载流子氧化层厚度; 文献传递

砷化镓欧姆接触中的能带工程: 1998年; 介绍了欧姆接触中运用能带工程的原理，评述了近年来ＧａＡｓ欧姆接触中能带工程应用的研究状况。具体分析了用薄的窄能隙材料做帽层降低势垒高度和基于Ｉｎ金属化系统的欧姆接触两方面的应用。; 张万荣李志国穆甫臣郭伟玲孙英华陈建新沈光地; 关键词：欧姆接触砷化镓

Si-SiGe/SiHBT真流特性的解析模型与模拟: 1998年; 在考虑了重掺杂效应、异质结势垒效应、各物理量随温度变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后，对Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的常温和低温直流特性进行了解析模拟．给出了Ｔ＝７７Ｋ和３００Ｋ时的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴＧｕｍｍｅｌ图和电流增益β与集电极电流密度Ｊｃ的关系．研究了基区少子寿命对的影响．模拟显示，Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ在小电流和中等电流下有良好的常温和低温直流特性，在大电流下，由于异质结势垒效应的存在，电流增益β严重退化．; 张万荣罗晋生李志国穆甫臣程尧海陈建新沈光地; 关键词：异质结晶体管直流特性解析模型

Si/SiGe/SiHBT的优化设计被引量：5: 1998年; 给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。; 张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地罗晋生; 关键词：异质结晶体管双极晶体管

Oxide Thickness Effects on n-MOSFETs Under On-State Hot-Carrier Stress: 2002年; Hot carrier induced (HCI) degradation of surface channel n MOSFETs with different oxide thicknesses is investigated under maximum substrate current condition.Results show that the key parameters m and n of Hu's lifetime prediction model have a close relationship with oxide thickness.Furthermore,a linear relationship is found between m and n .Based on this result,the lifetime prediction model can be expended to the device with thinner oxides.; 胡靖穆甫臣许铭真谭长华; 关键词：HCI

镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS结构的直接隧穿电流的影响被引量：2: 2001年; 随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 .利用 WKB近似方法 ,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式 .镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大。; 毛凌锋卫建林穆甫臣谭长华许铭真; 关键词：直接隧穿电流 MOS结构势垒超薄栅