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章丹艳

作品数：24 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江大学城市学院更多>>
相关领域：自动化与计算机技术社会学经济管理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇社会学

主题

  • 12篇浮栅
  • 11篇电路
  • 11篇反相器
  • 7篇神经元
  • 7篇MOS管
  • 6篇触发器
  • 3篇电压
  • 3篇增强型
  • 3篇双边沿触发器
  • 3篇锁存
  • 3篇全加器
  • 3篇箝位
  • 3篇箝位电路
  • 3篇脉冲
  • 3篇晶体管
  • 3篇沟道
  • 3篇本位
  • 3篇边沿触发器
  • 3篇差分结构
  • 3篇传输门

机构

  • 23篇浙江大学城市...

作者

  • 23篇章丹艳
  • 23篇杭国强
  • 22篇胡晓慧
  • 20篇杨旸
  • 17篇周选昌
  • 9篇尤肖虎
  • 3篇刘承成
  • 2篇吴剑钟

传媒

  • 1篇领导科学

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 11篇2014
  • 1篇2012
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器
本实用新型公开了一种采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器，包括：对时钟信号进行反相延迟的反相器链，它由三个反相器级联构成；两个差动配置的下拉多输入浮栅MOS管，这两个多输入浮栅MOS管的开关状态受时钟信号、该时钟信号的延迟反...
杭国强胡晓慧周选昌杨旸章丹艳尤肖虎
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基于FinFET的三值SRAM单元电路
本实用新型涉及基于FinFET的三值SRAM单元电路，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3...
杭国强卢杰王思远李焕胡晓慧章丹艳
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一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路
本发明公开了一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路，包括具有回差特性的阈0.5反相运算和阈0.5运算电路部分11，具有回差特性的阈1.5反相运算和阈1.5运算电路部分12，具有回差特性的阈2.5反相运算和阈2...
杭国强周选昌吴剑钟胡晓慧杨旸章丹艳
一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路
本实用新型公开了一种基于浮栅技术的二值动态BiCMOS与门电路，包括动态时钟控制电路、输入电路和输出电路；所述动态时钟控制电路包括pMOS管P1和P2；所述输入电路包括三输入浮栅nMOS管N1；所述输出电路包括npn型三...
胡晓慧杭国强周选昌杨旸章丹艳
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基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器
本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器，包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器；所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4，三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n...
杭国强胡晓慧杨旸章丹艳周选昌尤肖虎
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一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计
本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平...
胡晓慧杭国强周选昌杨旸章丹艳
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一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计
本发明公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计，包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器；所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4，三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n...
杭国强胡晓慧杨旸章丹艳周选昌尤肖虎
基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器
本实用新型公开一种于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器，包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器。本实用新型的有益效果是：输入控制结构由简单的组合逻辑电路组成。电路利用了浮栅MOS管所具有的阈值易于控制这...
胡晓慧杭国强杨旸章丹艳周选昌刘承成
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一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计
本发明公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计，包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器；所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4，三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n...
杭国强胡晓慧杨旸章丹艳周选昌尤肖虎
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一种采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器
本发明公开了一种采用浮栅MOS管的脉冲D型触发器，包括：对时钟信号进行反相延迟的反相器链，它由三个反相器级联构成；两个差动配置的下拉多输入浮栅MOS管，这两个多输入浮栅MOS管的开关状态受时钟信号、该时钟信号的延迟反相信...
杭国强胡晓慧周选昌杨旸章丹艳尤肖虎
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