符黎明
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 高温热处理过程中快速热处理对直拉硅单晶氧沉淀的促进作用
- ＜正＞氧是直拉（Cz）硅单晶中存在的最重要的杂质,它对于大规模集成电路制造来说有很重要的意义。通过缺陷工程,可以吸除硅片表面的金属离子沾污,从而获得高质量的表面洁净区（DZ）。近年来,快速热处理（RTP）在硅片制造得到了...
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- 文献传递
- 快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响
- 集成电路特征线宽的不断减小对直拉(CZ)单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下，基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商——美国的MEMC公司近年来提出的基于快速热处理(RTP...
- 符黎明
- 关键词：单晶硅氧沉淀内吸杂
- 直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长被引量：5
- 2007年
- 重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.
- 符黎明杨德仁马向阳郭杨阙端麟
- 关键词：直拉单晶硅氧沉淀消融
- 重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺
- 本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺，步骤如下：1)将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒，然后保持温度不变，将处理气氛变换成氧气，继续热处理5-50秒，最后在氧气氛下冷却...
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- 重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺
- 本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺，步骤如下：1)将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于1200－1280℃热处理5－50秒，然后保持温度不变，将处理气氛变换成氧气，继续热处理5－50秒，最后在氧气氛下冷却...
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