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赵志飞

作品数：50 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 2篇标准
  • 1篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 29篇碳化硅
  • 14篇外延层
  • 13篇外延片
  • 13篇衬底
  • 10篇硅外延
  • 7篇硅衬底
  • 6篇淀积
  • 6篇碳化硅薄膜
  • 6篇气体
  • 6篇缺陷密度
  • 6篇氩气
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇掺杂
  • 6篇纯氢
  • 5篇石墨
  • 5篇损伤层
  • 5篇刻蚀
  • 4篇载气
  • 4篇石墨烯
  • 4篇退火

机构

  • 50篇中国电子科技...
  • 1篇山东大学

作者

  • 50篇赵志飞
  • 41篇李赟
  • 21篇李忠辉
  • 6篇朱志明
  • 2篇张东国
  • 2篇吴维丽
  • 2篇陆东赛
  • 2篇尹志军
  • 2篇高汉超
  • 2篇吴云
  • 1篇彭燕
  • 1篇徐现刚
  • 1篇陈秀芳
  • 1篇杨祥龙
  • 1篇柏松
  • 1篇胡小波
  • 1篇李赟
  • 1篇杨昆
  • 1篇黄润华
  • 1篇曹越

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 6篇2024
  • 2篇2023
  • 9篇2022
  • 5篇2021
  • 7篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法
本发明涉及一种在硅（Si）衬底上的β‑碳化硅薄膜的制备方法。本方法是在化学气相沉积（CVD）设备中进行的，首先在Si衬底上制备规则的Si纳米柱阵列，生长前原位刻蚀处理去除表面氧化层和沾污，再由碳化形成碳化硅缓冲层，随后初...
赵志飞李赟朱志明
文献传递
一种碳化硅外延材料的缓冲层生长方法
本发明公开了一种碳化硅外延材料的缓冲层生长方法，采用在低速缓冲层生长末期进行低‑高C/Si比切换，在短时间内快速完成切换，以更快速的提升C/Si比。本发明通过采用优化的缓冲层与外延层之间的工艺切换过程，实现低速缓冲层生长...
周平李赟熊瑞王翼赵志飞李忠辉
文献传递
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法
本发明公开了一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法。该方法在SiC外延片上淀积一层硅(Si)薄膜。生长过程中采用氢气、氩气混合气体作为载气，在抑制Si团簇形成的同时降低Si薄膜的沉积速率，使生长更加可控。在生长Si薄膜前，先生...
王翼赵志飞李赟周平
一种减少碳化硅外延薄膜中缺陷的方法
本发明是一种减少碳化硅外延薄膜中缺陷的方法，是在水平热壁式化学气相沉积（CVD）设备中进行，包括1）衬底准备：选取偏向<11-20>方向4°的0001硅面碳化硅衬底；2）生长前烘烤：准备好的样品送至反应室之后...
赵志飞
文献传递
一种在硅衬底上制备β-碳化硅薄膜的方法
本发明涉及一种在硅（Si）衬底上的β-碳化硅薄膜的制备方法。本方法是在化学气相沉积（CVD）设备中进行的，首先在Si衬底上制备规则的Si纳米柱阵列，生长前原位刻蚀处理去除表面氧化层和沾污，再由碳化形成碳化硅缓冲层，随后初...
赵志飞李赟朱志明
一种超级结结构及其制作方法
本发明公开了一种超级结结构及其制作方法，超级结结构包括一个或若干个超级结单元，定义超级结结构垂直方向为y方向，水平方向为x方向；若干个超级结单元沿y方向垒叠形成超级结结构；每个超级结单元由交替排列的第一导电类型区域和第二...
张腾赵志飞杨晓磊陈谷然黄润华柏松杨勇
一种超级结结构及其制作方法
本发明公开了一种超级结结构及其制作方法，超级结结构包括一个或若干个超级结单元，定义超级结结构垂直方向为y方向，水平方向为x方向；若干个超级结单元沿y方向垒叠形成超级结结构；每个超级结单元由交替排列的第一导电类型区域和第二...
张腾赵志飞杨晓磊陈谷然黄润华柏松杨勇
一种生长掺杂界面清晰的碳化硅外延薄膜的制备方法
本发明公开了一种生长掺杂界面清晰的碳化硅外延薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置到反应室中；反应室缓慢达到设定压力和气体流量，在氢气流中加热反应室；对碳化硅衬底进行原位刻蚀处理；开始生长P型或N型掺杂的碳化硅外...
赵志飞
文献传递
一种降低SiC外延层中三角形缺陷的方法
本发明公开了一种降低SiC外延层中三角形缺陷的方法。以化学汽相淀积生长技术为基础，通过设计复合缓冲层，首先采用氯基硅源结合低进气端碳硅比生长首层缓冲层降低螺位错转化成三角形的几率，之后在相同生长温度下,采用硅烷生长具有台...
李赟李忠辉赵志飞王翼周平
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