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铋含量的变化对Bi_xFeO_3薄膜微结构和光学性质的影响(英文): 2014年; 通过溶胶-凝胶技术在Si衬底上制备了x从0.80增大到1.20的Bi x FeO3薄膜样品.分析了Bi元素含量的改变对BFO薄膜微结构和光学性质的影响,表明在Bi缺失和Bi过量的Bi x FeO3薄膜样品中均出现了Bi2Fe4O9杂相和铁氧化物杂相,导致Bi x FeO3薄膜晶格的菱形扭曲结构发生变化.测试得到了薄膜的拉曼散射谱和椭圆偏振光谱,拉曼散射谱反映了Bi x FeO3薄膜样品中的振动模式明显受到x取值的影响.根据椭偏数据拟合得到的结果表明折射率在波长600 nm以下范围内随着x的减小而减小.而样品的禁带宽度从2.65 eV到2.76 eV,在x为1.05和1.10时得到最大值.; 李晓晞邓红梅张金中杨平雄褚君浩; 关键词：溶胶-凝胶技术微结构光学性质

Zn-Mn共掺对BTO薄膜光学性质及铁电性能的影响(英文): 2012年; 利用溶胶凝胶法在Si(100)和LNO/Si(100)衬底上成功制备了Zn-Mn共掺钛酸钡薄膜.为了更充分地研究掺杂量对薄膜的晶体微结构和铁电性的影响,利用同样的方法分别制备了不同掺杂量的掺Zn和掺Mn钛酸钡薄膜.X射线衍射和原子力显微镜测量的结果表明薄膜均匀致密,且平均晶粒尺寸在30 nm以内.通过比较400～700 nm范围内各钛酸钡薄膜的折射率和消光系数,可以得到,其禁带宽度随着掺Zn或掺Mn量的变化而变化.对薄膜的铁电性能进行研究表明,Zn-Mn钛酸钡具有良好的铁电性,其剩余极化值为11.26μC/cm2,说明微量的Zn-Mn共掺可以增强薄膜的铁电性.; 高婉丽邓红梅杨平雄褚君浩; 关键词：溶胶-凝胶法光学性质铁电性能

添加剂对SnO2纳米薄膜微结构与光致发光性质影响的研究被引量：1: 2008年; 以SnCl2.2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了SnO2纳米薄膜。在溶胶中添加了多种添加剂,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光谱仪(PL)研究了添加剂对薄膜结构、形貌和光学性质的影响,结果表明氨水的加入能抑制晶粒快速长大,未加入氨水的SnO2薄膜在750℃和900℃热处理后平均晶粒尺寸分别为23.1 nm和50.5 nm,而加入氨水后的平均晶粒尺寸分别为19.6 nm和42.8 nm;丙三醇(GCR)的添加能抑制团聚和防止深裂痕,使薄膜光滑、平整;表面活性剂聚乙二醇2000、聚乙二醇4000能使薄膜产生空隙和大量孔洞,从而大大增加薄膜比表面积,使之气敏性能显著提高,同时还发现,相同量的聚乙二醇2000和聚乙二醇4000,后者产生的孔洞比前者密;对光致发光性质进行了研究,结果表明聚乙二醇2000的加入使发光强度增大。; 秦苏梅邓红梅童梓洋杨平雄; 关键词：溶胶-凝胶法 SNO2薄膜添加剂光致发光

硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜结构和光学性质的影响被引量：1: 2015年; 采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV。; 曹辉义邓红梅崔金玉孟宪宽张俊孙琳杨平雄褚君浩

La掺杂对PZT薄膜光伏特性的影响: 2013年; 采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3(PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示,通过600℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜,并且薄膜呈现(110)晶向择优生长;拉曼图谱进一步证实了薄膜同时具有三方相和四方相;研究样品的电滞回线发现,随着La含量的减小,薄膜的电滞回线不断宽化;同时,通过光伏效应测试得出结论,当La含量从1%增加到6%时,光生电压逐渐增大,并在6%时达到极大值,当La含量进一步增加时,光生电压反而随之减小.; 孙倩邓红梅杨平雄褚君浩; 关键词：溶胶-凝胶法光伏效应

快速热退火对纳米晶粒SnO2薄膜性质的影响被引量：11: 2008年; 以SnC l2.2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了薄膜的晶粒尺寸、微结构、表面形貌与快速热退火条件的关联,用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和光致发光研究了薄膜的光学性质.结果表明,快速热退火(RTA)温度对薄膜的光学性质、晶粒尺寸和薄膜的结构形态均有较大的影响.; 秦苏梅童梓洋邓红梅杨平雄; 关键词：纳米二氧化锡

Bi_2VO_(5.5)铁电薄膜的制备及电学性质研究被引量：1: 2010年; 利用溶胶凝胶法在n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋(Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明,Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,在±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压为3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明,Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景.; 张振伦邓红梅郭鸣杨平雄褚君浩; 关键词：溶胶凝胶电学特性

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邓红梅