郭滨刚
- 作品数：14 被引量：8H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件研究所更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响
- 用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACP...
- 郭滨刚刘纯亮范玉锋夏星
- 关键词：壁电荷击穿电压ACPDP
- 文献传递
- TGBT型逆变CO<,2>气体保护焊机短路过渡过程调节性能的研究
- 该文从实现TGBT型逆变CO<,2>气体保护焊机短路过渡过程的多参数可控调节性能出发,对CO<,2>气体保护焊熔滴适中过渡过程进行了深入的分析.设计了闭环电压负反馈电路、短路峰值电流截流电路与电子电抗器电路,分别对电压、...
- 郭滨刚
- 关键词：短路过渡逆变弧焊电源
- 文献传递
- 等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究被引量：1
- 2005年
- 为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不 同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究．试验结 果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异．少数工艺下得到的MgO的(111) 衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132．2 V;而在其它的基板温度和 沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1％以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电 压均高于140 V．另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变．
- 夏星范玉锋郭滨刚刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器电子束蒸发晶格畸变着火电压
- AC PDP复合介质保护膜微观结构与放电性能研究
- 郭滨刚
- 关键词：等离子体显示器保护膜复合介质放电二次电子发射
- IGBT型逆变CO2气体保护焊机短路过渡过程调节性能的研究
- 郭滨刚
- 关键词：短路过渡调节性能CO2焊逆变弧焊电源
- ZrO_2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响
- 2004年
- 在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响。掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0 2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰。而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向。
- 刘柳刘纯亮郭滨刚范玉峰夏星
- 关键词：等离子体显示板氧化锆
- 老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响
- 2005年
- 在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne+Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub^pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响。结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定。与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定。当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低。本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff。
- 郭滨刚胡文波郑德修何锋刘纯亮
- 关键词：老炼MGO击穿电压
- 等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究
- 为了研究等离子体显示器（PDP）中MgO 介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO 介质保护膜,并利用X 射线衍射分析及放电试验对其进行了研究。试验结果表明:虽然各工艺下的...
- 夏星范玉锋郭滨刚刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器电子束蒸发晶格畸变着火电压
- 文献传递
- 老炼过程对AC-PDP显示屏MgO薄膜二次电子发射系数的影响
- 本文使用Paschen定律沿非均匀电场电力线积分计算表面放电型AC-PDP的着火电压,通过最小二乘法拟合实验测得的Ne+Xe混合气体的放电电压特性曲线,并根据拟合结果计算山有效二次电子发射系数和其他相关参数。在有效二次电...
- 郭滨刚胡文波何锋刘纯亮
- 关键词：表面放电老炼
- 电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究被引量：1
- 2005年
- 采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ,并改变其结晶取向。当ZrO2 掺杂比为 0和 0 .10时 ,晶格畸变较小 ,容易获得 (111)结晶取向 ;当ZrO2 掺杂比为0 .0 5和 0 .2 0时 ,晶格畸变较大 ,容易获得 (2 2 0 )或 (2 0 0 )结晶取向。蒸镀工艺对 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )取向的影响不尽相同 :较高的蒸镀速率有利于获得较强的 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )衍射峰 ;较低的基板温度有利于获得 (111)和 (2 2 0 )结晶取向 ,而较高的基板温度则有利于获得 (2 0 0 )结晶取向。
- 郭滨刚刘纯亮刘柳范玉峰夏星
- 关键词：复合介质ZRO2晶格畸变衍射电子束
