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雷天民

作品数：108 被引量：108H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 78篇专利
  • 28篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 8篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 61篇样片
  • 59篇退火
  • 56篇石墨
  • 55篇石墨烯
  • 32篇衬底
  • 31篇碳膜
  • 26篇CU膜
  • 24篇电子器件
  • 23篇微电子
  • 23篇微电子器件
  • 19篇SIC衬底
  • 18篇SUB
  • 16篇3C-SIC
  • 14篇石墨烯晶体管
  • 14篇氯气
  • 14篇晶体管
  • 12篇电子迁移率
  • 12篇迁移率
  • 12篇层数
  • 11篇纳米

机构

  • 88篇西安电子科技...
  • 20篇西安理工大学
  • 4篇西北大学
  • 4篇香港科技大学
  • 1篇辽宁大学
  • 1篇西安工程大学
  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 108篇雷天民
  • 79篇张玉明
  • 76篇郭辉
  • 60篇张克基
  • 35篇邓鹏飞
  • 20篇张凤祁
  • 17篇赵艳黎
  • 16篇张晨旭
  • 15篇胡彦飞
  • 8篇韦超
  • 8篇马剑平
  • 7篇陈治明
  • 5篇吕晋军
  • 4篇李红生
  • 4篇卢刚
  • 4篇汤小燕
  • 4篇王建农
  • 4篇刘佳佳
  • 4篇胡宝宏
  • 4篇张志勇

传媒

  • 4篇电子科技
  • 4篇西安理工大学...
  • 4篇西安电子科技...
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇Journa...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇西安公路交通...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇西安工程科技...
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 6篇2014
  • 36篇2013
  • 31篇2012
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1994
共 108 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、连续性不好、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1100℃-1250℃...
郭辉张克基张玉明邓鹏飞雷天民
文献传递
向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为：(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
文献传递
超声辅助液相合成多晶SnS纳米粉被引量：4
2005年
本文以Na2S·9H2O和SnCl2·2H2O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备SnS纳米粉.用XRD、TEM和TED等方法对粉体样品进行了表征,检测结果表明粉体样品为具有斜方晶体结构的SnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为15～25nm.论文还简要讨论了超声波对SnS纳米粉形成的影响,分析认为超声辅助手段的加入有利于多晶SnS纳米粉的形成.
李红生雷天民冯谦郑春蕊葛莉玲刘守智
关键词：纳米粉体材料半导体材料
基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过...
郭辉张晨旭张玉明张克基雷天民邓鹏飞
Si(111)碳化层中的SiC结晶被引量：8
1997年
为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构，发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C－SiC结晶层和富碳的3C－SiC结晶层组成．适当控制碳化条件可以调整3C－SiC结晶层的比例．
雷天民陈治明马剑平余明斌
关键词：硅碳化硅
全文增补中
普物实验应注重学生能力培养
1994年
本文指出普物实验的初期，中期及后都应注重对学生的能力培养，分别注意基础能力，动手能力和设计能力的培养．
雷天民
关键词：普物实验
碳酸钙与铝镁纳米复合阻燃纸及其制备方法
本发明公开了一种碳酸钙与铝镁纳米复合阻燃纸及其制备方法，主要解决现有技术的阻燃效果低、抗腐蚀性差、制备成本高、对环境有污染问题。其实现方案是：在配制的0.42～1.82mol/L镁离子溶液、0.18～0.78mol/L铝...
任庆利罗强雷天民李艳辉孙鹏罗杰华赵婷樊宇翔侯天佑
基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其实现步骤是：先对清洗SiC样片；再在SiC样片表面淀积...
郭辉张晨旭张玉明张克基雷天民胡彦飞
文献传递
基于Ni膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的...
郭辉张克基张玉明邓鹏飞雷天民
基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制作的石墨烯作为晶体管沟道材料进行光刻工艺时会引起损伤，导致电子迁移率下降的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底上生长碳化层作...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
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