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韩理

作品数:79 被引量:212H指数:8
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程机械工程更多>>

文献类型

  • 67篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 6篇科技成果

领域

  • 35篇理学
  • 28篇电子电信
  • 15篇化学工程
  • 7篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇农业科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 23篇激光
  • 17篇等离子体
  • 13篇SIH
  • 11篇动力学
  • 11篇掺杂
  • 8篇浅电子陷阱
  • 8篇硅薄膜
  • 7篇卤化银
  • 7篇光电
  • 7篇光谱
  • 7篇感光
  • 6篇动力学研究
  • 6篇增感
  • 6篇碳化硅
  • 6篇发光
  • 6篇感光材料
  • 5篇脉冲
  • 5篇纳米
  • 5篇激光器
  • 5篇分子

机构

  • 78篇河北大学
  • 1篇河北农业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇河北科技大学

作者

  • 79篇韩理
  • 62篇傅广生
  • 48篇李晓苇
  • 27篇于威
  • 26篇张连水
  • 21篇杨少鹏
  • 15篇董国义
  • 9篇董丽芳
  • 8篇代秀红
  • 6篇耿爱丛
  • 6篇张开锡
  • 4篇张荣香
  • 4篇王金国
  • 4篇孙运涛
  • 4篇张贵银
  • 3篇彭英才
  • 3篇赵晓辉
  • 3篇江晓利
  • 3篇付广生
  • 3篇王淑芳

传媒

  • 12篇光谱学与光谱...
  • 11篇物理学报
  • 6篇光电子.激光
  • 6篇河北大学学报...
  • 6篇人工晶体学报
  • 5篇量子电子学
  • 4篇中国激光
  • 3篇激光杂志
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇感光科学与光...
  • 2篇光学学报
  • 2篇信息记录材料
  • 2篇2002年中...
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第十届全国光...
  • 1篇第三届全国基...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 6篇2005
  • 4篇2004
  • 13篇2003
  • 9篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 6篇1994
  • 1篇1993
79 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用微波场抑制电磁感应透明的功率展宽被引量:6
2007年
电磁感应透明的重要参量之一是透明窗口的光谱线宽。在Λ-型三能级原子系统中,电磁感应透明的光谱线宽由两低能级间的相干失相速率决定,若两低能级同属于原子基态的精细结构,则电磁感应透明窗口的极限线宽很窄。但较强的耦合场作用往往会导致电磁感应透明窗口的功率展宽,而减弱耦合场又会影响电磁感应透明的对比度和深度。为此,通过引入微波控制场共振作用于基态精细能级间构成三场作用下的准Λ-型四能级系统,利用微波控制场来抑制耦合场所引起的电磁感应透明窗口的功率展宽。结果表明,引入微波控制场不仅得到了双窗口电磁感应透明,而且在保持较好对比度的条件下,使得电磁感应透明的光谱线宽明显小于不加微波场的情况。
张连水杨丽君李晓莉韩理李晓苇郭庆林傅广生
关键词:量子光学电磁感应透明四能级系统
脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光被引量:8
2005年
采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0~6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加,而4 70nm附近发光峰相对减小。根据nc SiC薄膜的结构特性变化,认为这两个发光峰分别来源于6H -SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。
于威何杰孙运涛韩理傅广生
关键词:光致发光纳米碳化硅SIC薄膜碳化硅薄膜XECL复合发光
掺杂AgCl中光电子衰减特性研究
2009年
利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。
代秀红张荣香李晓苇董国义杨少鹏韩理
关键词:浅电子陷阱
掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性被引量:1
2005年
利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。
杨少鹏傅广生董国义代秀红韩理
关键词:自由电子微波吸收立方体CN
脉冲CO_2激光制备纳米级SiC粉末被引量:2
1994年
采用脉冲TEACO2激光诱发SIH4+CH4等离子体化学气相反应,合成了粒度分布均匀的纳米SiC球型陶瓷粉末,采用傅里叶红外光谱、X射线衍射、元素分析、透射电子显微镜等多种技术对粉末性能进行了分析,利用光学发射谱技术对反应过程进行了初步研究。
韩理于威傅生李晓苇张连水
关键词:CO2激光器脉冲陶瓷粉末
热丝化学气相沉积法低温制备纳米晶态碳化硅薄膜(英文)被引量:1
2003年
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成。纳米晶粒平均尺寸约为6nm。室温下用HeCr激光激发样品,观察到薄膜发出波长位于400~550nm范围内可见光辐射。
于威孙运涛郑志远韩理傅广生
关键词:热丝化学气相沉积碳化硅薄膜晶体结构表面形貌
多窗口可调谐电磁诱导透明研究被引量:10
2006年
当两束激光以Λ-构型作用于三能级原子系统并满足双光子共振条件时,探测激光场吸收谱呈现电磁诱导透明(EIT)特征.若再加一个微波控制场作用于该三能级系统的两个低能级跃迁之间,会导致探测吸收特性明显变化,EIT窗口将发生劈裂.通过求解相应的密度矩阵方程,揭示了外加微波场作用下EIT窗口的变化规律,并给出了相应的缀饰态解释.研究结果表明,在适当的条件下,电磁诱导透明呈现三重结构,而EIT窗口的频率位置取决于微波控制场的拉比频率及频率失谐量.因此通过改变微波控制场的参数可以实现多EIT窗口的频率调谐.
杨丽君张连水李晓莉李晓苇郭庆林韩理傅广生
关键词:电磁诱导透明量子相干频率调谐
脉冲红外激光诱发SiH_4+CH_4解离动力学研究被引量:1
1994年
采用光学发射谱(OES)技术对脉冲TEACO_2激光诱发SiH_4+CH_4系统击穿产生的等离子体辐射进行了时间分辨的光谱测量。结果表明等离子体内分子的各碎片发光均在气体击穿时刻开始出现,但具有不同的时间特性,由此探讨了气体分子的分解过程。分析结果支持激光诱发SiH_4+CH_4等离子体内的主要离解通道为产生Si,C原子通道的分解动力学机制的解释。据此观点讨论了气体分解碎片间的反应过程。实验与理论符合较好。
于威李晓苇韩理张连水傅广生
关键词:等离子体辐射
SiH_4分子的光声谱及声速的测量被引量:2
1992年
光声光谱分析法作为一种对物质进行定性、定量和结构分析等研究的手段。
张连水张贵银韩理傅广生张开锡
关键词:声速
SiH_4激光等离子体内自由基反应动力学研究
1991年
本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术, 研究横向激励大气压(TEA)CO_2激光诱发的SiH_4等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH_4激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。
傅广生王金国李晓苇韩理吕福润
关键词:SIH4等离子体反应动力学
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