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马紫微

作品数:31 被引量:60H指数:4
供职机构:运城学院物理与电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金山西省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学机械工程文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 20篇理学
  • 6篇机械工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇社会学

主题

  • 8篇溅射
  • 8篇光学
  • 5篇HFO
  • 3篇带隙
  • 3篇院校
  • 3篇折变
  • 3篇溅射法
  • 3篇光束
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性能
  • 3篇光折变
  • 3篇光折变效应
  • 3篇反应溅射
  • 3篇非线性光学
  • 3篇高斯光束
  • 2篇地方院校
  • 2篇电路
  • 2篇电路板
  • 2篇性能研究
  • 2篇异质结

机构

  • 23篇运城学院
  • 8篇兰州大学
  • 2篇西南交通大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇太原师范学院

作者

  • 30篇马紫微
  • 10篇姜其畅
  • 9篇李永宏
  • 6篇苏艳丽
  • 5篇谢二庆
  • 4篇孙慧霞
  • 3篇聂合贤
  • 3篇林洪峰
  • 3篇贺德衍
  • 2篇谢毅柱
  • 2篇姚陈忠
  • 2篇王小平
  • 2篇李健
  • 2篇王跃峰
  • 2篇刘利新
  • 2篇赵海廷
  • 2篇张喜生
  • 2篇苏玉荣
  • 1篇冀林仙
  • 1篇刘肃

传媒

  • 6篇运城学院学报
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇电子科技大学...
  • 1篇现代化工
  • 1篇物理通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇材料导报
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  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇创新创业理论...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇教育信息化论...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
衬底温度对HfO_2薄膜结构和光学性能的影响被引量:4
2010年
采用直流磁控反应溅射法,分别在室温,200,300,400和500℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱(SE)和紫外可见光谱(UVvis)研究了衬底温度对HfO2薄膜的晶体结构和光学性能的影响。XRD研究结果显示:不同衬底温度下制备的HfO2薄膜均为单斜多晶结构;随衬底温度的升高,(-111)面择优生长更加明显,薄膜中晶粒尺寸增大。SE和UVvis研究结果表明:随衬底温度升高,薄膜折射率增加,光学带隙变小;制备的HfO2薄膜在250~850nm范围内有良好的透过性能,透过率在80%以上。
赵海廷马紫微李健刘利新张洪亮谢毅柱苏玉荣谢二庆
关键词:衬底温度晶体结构直流磁控反应溅射光学带隙
SiCN薄膜的红外光谱研究
2013年
SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱(IR)进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高。
马紫微张永安
关键词:溅射红外光谱
HfO_2薄膜的溅射制备及其性能研究
HfO2是一种性能良好的绝缘体,带隙宽,介电常数高,折射率大,热性质和化学性质稳定,在电子材料和光学材料领域中都有广泛的应用。在MOS型器件中,Hf02作为一种高介电常数材料,替代常规使用的Si02,以期最小化有效电容厚...
马紫微
关键词:反应溅射结构性能光学性能
文献传递
超强磁场下中子星壳层的电导率和磁星环向磁场欧姆衰变被引量:1
2019年
磁星是指主要由磁场提供辐射能量的一类脉冲星.部分宁静状态下的磁星X射线有热起源,对应的温度kT为0.2—0.6keV(1eV=1.602×10^–19J),这比转动供能的脉冲星的典型温度值高很多,并且可以用黑体谱来拟合.对磁星的观测和理论研究是当前脉冲星领域一个重要的热点.结合物态方程,本文首先计算了在超强磁场下壳层的电导率;从统计上研究了由于环向磁场衰变,磁场能释放率与磁星软X射线光度之间的关系.通过分类和数值拟合,所得到的新的拟合公式能较好地反映磁星软X射线光度和旋转能损率之间的关系.研究发现,对于绝大多数高X射线光度的磁星,环向磁场欧姆衰变足够提供其观测的软X射线辐射;对于低X射线光度的暂变磁星,其软X射线辐射可能来源于旋转能损率、磁层流或粒子星风.随着对磁星理论和观测研究的深入,本文模型也会得到进一步的改进,理论结果将更好地符合磁星的软X射线观测.
陈建玲王辉贾焕玉马紫微李永宏谭俊
关键词:磁星光度
多孔β-SiC薄膜的蓝光发射被引量:7
2003年
通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了 β SiC薄膜 ,用HF酸 (40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对 β SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理 ,形成了多孔 β SiC(PSC)薄膜 .利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光 (PL)特性 ,用原子力显微镜 (AFM)和扫描电子显微镜 (SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌 .结果表明 :多孔 β SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性 ;通过改变腐蚀时间 ,可以改变蓝光发射的强度 ,也可以观察到蓝光 红光同时发射的现象 ;降低HF酸的浓度 ,蓝光发射峰明显变弱 ,并对多孔 β SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论 .
张志敏谢二庆林洪峰马紫微叶凡贺德衍
关键词:电化学腐蚀蓝光发射PLSEM
线性和二次电光效应共同主导的非相干耦合空间孤子族(英文)被引量:1
2017年
基于加偏压的单光子光折变晶体,理论推导了线性和二次电光效应共同主导下的亮孤子族和暗孤子族的解,数值研究了亮孤子族和暗孤子族的强度包络和稳定特性,讨论了线性和二次电光效应在孤子族形成中的不同作用.结果表明:线性和二次电光效应的相互作用能够增强亮孤子族的光折变非线性,而减弱暗孤子族的光折变非线性.此外,在传输过程中,亮孤子族的各个分量能够稳定传输;暗孤子族各个分量在较长传输距离时表现出不稳定性.
姜其畅苏艳丽聂合贤马紫微李永宏
关键词:非线性光学光折变效应电光效应非相干耦合孤子族
兼容性Cu^(2+)溶液改性EP基材催化铜导电线路沉积被引量:2
2022年
印制电路板(PCB)基材预设位置活化是选择性化学镀铜法制作导电线路的关键工艺。以乙酸铜为催化剂前驱体、硫脲为络合剂、双酚A二缩水甘油醚为环氧树脂(EP)预聚物、试剂593为固化剂和丙二醇甲醚为溶剂,设计出一种基于EP兼容的Cu^(2+)溶液,借助喷墨打印机把兼容性Cu^(2+)溶液印刷在EP基材表面,采用选择性化学镀铜法加成制备了铜导电线路。基于量子化学密度泛函理论,模拟兼容性Cu^(2+)溶液中硫脲分子与Cu^(2+)之间的络合反应,利用红外光谱和拉曼光谱对兼容性Cu^(2+)溶液中特殊官能团进行表征。结果表明:铜线路中晶粒结晶度良好且堆积致密,其电阻率低至2.62×10^(-6)Ω·cm;在改性层的帮助下,铜线路与EP基材之间的结合力达到5B级别。因此,EP基材兼容性改性催化铜导电线路沉积具有工艺简单、经济环保的优点,这对其他常用树脂基材兼容性改性加成制备PCB具有一定的参考价值。
王跃峰洪延冀林仙张存马紫微
关键词:密度泛函理论印制电路板
高斯光束在二维光折变晶格中的传输特性
2018年
用交替隐式差分法研究了高斯光束在二维正方格子和贝塞尔晶格中的传输特性。结果表明:高斯光束在二维正方格子中传输时可形成能量主要集中在中心区域的晶格孤子,也可通过参数调节形成其他空间分立形态的孤子;对贝塞尔晶格,当其横向尺度较小即入射高斯光束的能量主要集中在贝塞尔晶格的中心信道时,可在一定外加电场和光伏电场参数下形成类三环孤子。逐渐增加晶格的横向尺度,可形成单一的类环形孤子和类高斯孤子。光折变晶格孤子的多样性在全光孤子开关等方面具有潜在应用价值。
苏艳丽姜其畅聂合贤马紫微李永宏
关键词:非线性光学高斯光束光折变效应光子晶格
SiC和SiCN薄膜的制备及其性能研究
我们利用射频溅射法进行了SiC和SiCN薄膜的制备,并对在不同工艺条件下制备的样品进行了定性的研究,并对不同衬底温度下制备的样品进行了对比性讨论,得出了样品随温度不同结晶状况的变化.该论文的工作对SiC薄膜的定向生长、纳...
马紫微
关键词:宽带隙半导体材料射频溅射法X射线光电子谱SIC薄膜
文献传递
衬底温度对SiCN膜生长的影响
2005年
分别在不同的衬底温度下制备了S iCN薄膜,首先用红外吸收谱(IR)研究了薄膜中各元素间的成键情况,然后用X射线衍射谱(XRD)分别研究了高温样品和低温样品的结构,得到了它们的结晶状况。利用这些研究得到了衬底温度对薄膜生长的影响。
马紫微
关键词:衬底温度红外吸收谱XRD
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