何苗
- 作品数：61 被引量：46H指数：4
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省战略性新兴产业专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 一种LED外延片结构
- 本发明公开了一种LED外延片结构，包括从下至上依次设置的第二衬底、第四本征半导体层、第二N型GaN层、第二P型GaN层、第五本征半导体层、第二量子阱层、第六本征半导体层以及第三N型GaN层。本发明的LED外延片结构将P型...
- 何苗丛海云郑树文黄波
- 文献传递
- 一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件
- 本发明公开了一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，所述ZnO量子阱微腔结构以介质膜为分布布拉格反射镜结构下层，以ZnO/ZnMgO量子阱为有源层，以氮化物为分布布拉格反射镜结构上层。本发明实现了在室温条件下的超...
- 宿世臣张红艳赵灵智何苗
- 文献传递
- 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法，包括衬底和P型GaN薄膜层，所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面，所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列，所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳...
- 何苗王志成郑树文朱凝
- 文献传递
- 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法
- 本发明公开了一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法。该方法包括如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层的层叠式结构和蒸镀IT...
- 何安和章勇何苗范广涵
- 文献传递
- 一种大功率LED封装结构及其制造方法
- 本发明公开了一种大功率LED封装结构及其制造方法，其结构包括有高散热基板、高导热材料、大功率LED芯片和电路层，所述高散热基板和高导热材料通过高导热粘合剂粘合为一体，所述高导热材料与大功率LED芯片接触的一面镀有金属膜层...
- 何苗张力郑树文
- 一种LED按摩梳
- 本实用新型公开了一种LED按摩梳，包括支架、按摩面板、LED光源、光反射膜和电源。所述支架包括手柄、底板和面板框，所述按摩面板通过插入式卡槽与面板框连接并固定，按摩面板正面设有按摩齿，背面设有光网点，按摩齿与光网点位置相...
- 郑树文韩振伟范广涵何苗
- 文献传递
- Be和Ca掺杂纤锌矿ZnO的晶格常数与能带特性研究被引量：4
- 2012年
- 利用密度泛函理论平面波的赝势方法,对Be、Ca掺杂纤锌矿ZnO的BexZn1-xO,CayZn1yO三元合金和BexCayZn1-xyO四元合金的晶格常数、能带特性和形成能进行计算,结果表明:BexZn1-xO晶格常数随Be掺杂量的增大线性减小,但CayZn1yO晶格常数随Ca掺杂量的增大而增大.BexZn1-xO和CayZn1-yO能带的价带顶都由O2p态电子占据,导带底由Zn4s态电子占据,其能隙随Be或Ca掺杂量的增大而变宽.由Be和Ca共掺ZnO得到的Be0.125Ca0.125Zn0.75O四元合金,其晶格常数与ZnO相匹配,能隙比ZnO大,稳定性优于Be0.25Ca0.125Zn0.625O和Be0.5Zn0.5O合金,Be0.125Ca0.125Zn0.75O/ZnO异质结构适合制作高质量ZnO基器件.
- 郑树文范广涵章勇何苗李述体张涛
- 关键词：密度泛函理论晶格常数
- 广州市LED工业研究开发基地
- 范广涵易柱臻李述体章勇郭志友何苗郑树文张涛董海平周天明孙慧卿
- 1、通过项目实施，建立了产、学、研相结合的LED半导体照明研发基地，形成了完整的LED外延片、芯片、封装的研发和生产体系，为广州市进一步发展LED半导体照明事业搭建了有较高水平的技术平台。2、2007年12月即研发出高质...
- 关键词：
- 关键词：半导体照明发光二极管
- 一种LED外延结构
- 本发明公开了一种LED外延结构，包括有从下至上依次层叠的衬底、缓冲层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层和p型氮化镓层。本发明通过将电子阻挡层设在n型氮化镓层和多量子阱层之间，有效阻挡电子注入，减少电子泄...
- 何苗李欣
- 文献传递
- 一种GaN基LED外延结构
- 本发明公开了一种GaN基LED外延结构，涉及LED外延生长技术领域，自下而上包括：衬底、成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻档层和p型GaN层，其特点是：所述电子阻档层由Al<Sub>x</Sub>Ga<...
- 郑树文韩振伟何苗李述体
- 文献传递
