刘琦 作品数:254 被引量:67 H指数:4 供职机构: 中国科学院微电子研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重点基础研究发展计划 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 自动化与计算机技术 电子电信 理学 电气工程 更多>>
一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备 本发明提供一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备。存储单元包括:两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器;其中,第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连,另一端与位线相连,第一选通晶体管的源极与源线相... 窦春萌 王雪红 钱其昌 王琳方 叶望 刘琦 刘璟 刘明文献传递 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法 本发明公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态;以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本... 刘明 连文泰 龙世兵 吕杭炳 刘琦溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究 被引量:4 2003年 采用光学相移法 ,对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度 (2 0 0℃ )下的应力变化进行了研究。研究表明 :膜厚在10 3~ 2 2 8nm之间的平均应力和应力差的变化比较小 ,应力分布比较均匀。 吴桂芳 宋学平 王荣 刘琦 孙兆奇关键词:退火温度 膜厚 应力 一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法 本发明公开了一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法,包括:衬底预备;光刻形成惰性电极图形;电子束蒸发惰性电极金属;剥离形成惰性电极;套刻形成活性电极图形;电子束蒸发活性电极金属;剥离形成两端电极平面器件;以及在电场激励下形成银金... 孙海涛 杨洪璋 路程 刘琦 吕杭炳 龙世兵 谢常青 刘明文献传递 异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真 被引量:2 2007年 对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性. 胡媛 代月花 陈军宁 柯导明 刘琦关键词:LDMOS器件 非易失性存储方法及装置 本公开提出了一种非易失性存储方法及装置;其中,该非易失性存储方法,包括:将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元;以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度,由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转... 刘琦 赵晓龙 吴祖恒 刘宇 张凯平 路程 张培文 赵盛杰 姚志宏 余兆安 吕杭炳 刘明文献传递 复合多晶硅栅LDMOS的设计 被引量:1 2006年 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应。 刘琦 柯导明 陈军宁 高珊 刘磊关键词:跨导 截止频率 功函数 LDMOS 热载流子效应 阻变存储器 本发明公开了一种阻变存储器,包括由上而下依次层叠设置的第一金属层、阻变功能层、具有低迁移率的材料层以及第二金属层,其中,所述具有低迁移率的材料层上设置有一个以上通孔。本发明提供的阻变存储器,可以控制导电细丝的大小。由于导... 卢年端 姜文峰 李泠 耿玓 刘琦 吕杭炳 刘明自旋电子器件、SOT-MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路 本发明公开了一种自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路,所述自旋电子器件包括铁电/铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电/铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层;所述铁电/铁磁异质结构包括层... 邢国忠 林淮 路程 刘琦 吕杭炳 李泠 刘明文献传递 提高氧化镓材料导热性的方法 本发明提供了一种提高氧化镓材料导热性的方法,包括:在氧化镓衬底上外延单晶氧化镓薄膜;利用刻蚀工艺结合二维材料转移的方式将单晶氧化镓薄膜转移至热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底材料上,得到形成于上述衬底之上的单... 龙世兵 何启鸣 董航 刘琦 吕杭炳 刘明文献传递