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吕英杰

作品数:41 被引量:91H指数:5
供职机构:南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
发文基金:天津市科技发展战略研究计划项目国家科技支撑计划天津市科技支撑计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 41篇中文期刊文章

领域

  • 37篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电路
  • 6篇CMOS
  • 5篇稳压
  • 5篇芯片
  • 4篇电压
  • 4篇振荡器
  • 4篇时钟
  • 4篇锁相
  • 4篇锁相环
  • 4篇稳压器
  • 4篇线性稳压器
  • 4篇放大器
  • 3篇低电压
  • 3篇电池
  • 3篇跨导
  • 3篇集成电路
  • 3篇功耗
  • 3篇RFID
  • 3篇LDO
  • 2篇等效电路

机构

  • 41篇南开大学
  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇桂林电子科技...
  • 2篇天津工业大学
  • 1篇天津理工大学
  • 1篇电子工程学院

作者

  • 41篇吕英杰
  • 35篇戴宇杰
  • 35篇张小兴
  • 4篇樊勃
  • 3篇程兆贤
  • 3篇陈力颖
  • 3篇王洪来
  • 3篇韦保林
  • 2篇郭桂良
  • 2篇张桂英
  • 2篇韩蕾
  • 2篇姜宇
  • 2篇黄维海
  • 2篇刘慧敏
  • 2篇王丹
  • 2篇冯伟
  • 1篇杨俊焱
  • 1篇罗翼
  • 1篇阎跃鹏
  • 1篇封家敏

传媒

  • 21篇南开大学学报...
  • 5篇微电子学与计...
  • 5篇微纳电子技术
  • 3篇微电子学
  • 2篇天津工业大学...
  • 2篇中南大学学报...
  • 1篇电讯技术
  • 1篇电视技术
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 6篇2010
  • 10篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
RFID中EEPROM时序及控制电路设计被引量:4
2008年
RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。
程兆贤戴宇杰张小兴吕英杰樊勃
关键词:电可擦可编程只读存储器控制电路模拟仿真
PCIE2.0中8b/10b编码器的实现与扩展被引量:8
2019年
针对用于PCIE2.0物理层的8b/10b编码器及其扩展的16b/20b编码器,设计了一种新的实现方式.将8b/10b编码分为5b/6b编码和3b/4b编码两个子模块,根据PCIE2.0协议中规定的编码表采用极性分组和卡诺图化简的方式得到子模块逻辑表达式并组合实现8b/10b编码.然后分析了由其扩展的16b/20b编码器中3种不同流水线级数的实现方式,使用Synopsys的Design Compiler工具在SMIC55 nm工艺下进行综合,在250 M时钟频率下的组合逻辑资源面积仅为223μm^2,并根据综合结果分析了流水线级数对编码器性能的影响.
蔡万楼赵建中吕英杰
关键词:高速接口
0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
2011年
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18μm工艺,工作电压1.8 V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.
程兆贤张小兴戴宇杰吕英杰陈力颖
关键词:RFIDEEPROM漏电流
应用于RFID E^2PROM的低功耗14V高压产生电路设计
2008年
设计了应用于RFID电子标签E2PROM存储器中的低功耗的14V产生电路.大多数电子标签中升压电路均采用MOS管交叉耦合结构,通过分析Dickson结构和MOS管交叉耦合结构电荷泵的优缺点并根据RFID的应用,采用Dickson结构作为升压电路.通过对传统Dickson电荷泵电路进行改进,采用高速的肖特基二极管,利用间歇泵压技术,同时通过直接从电子标签的整流电路端供给电源,并采用电平移动电路增加时钟信号的幅度,同时大幅度减少了芯片面积.利用Chartered 0.35 μmCMOS工艺流片,电荷泵电路最大平均电流小于20μA,实现了低功耗的目标,且已经成功应用于13.56MHz电子标签中.
董静飞樊勃戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:RFID电荷泵低功耗肖特基二极管
应用于subLVDS接口的1.5Gb/s收发器设计被引量:1
2009年
介绍了subLVDS接口的系统结构并给出一种改进的内部收发器实现电路.为了稳定直流工作点,在发送器内部加入与电源电压无关的自偏置电压源和共模负反馈电路;通过轨到轨预放大器,接收器的共模输入电压可以达到电源至地的范围.SMIC0.18μm1P6M的工艺下,仿真结果表明该系统对随机输入数据的工作速度可以达到1.5Gb/s,工作温度范围为-40~120℃.
赵辉罗翼张小兴戴宇杰吕英杰
关键词:自偏置轨到轨正反馈
一种自给基准参考电压的前置稳压器设计与研究被引量:1
2016年
设计1种可实现自给基准参考电压的前置稳压器.提出1种新的电路结构,该电路结构由前置稳压电路和基准参考电压产生电路组成.前置稳压电路输出稳定电压为芯片其他模块提供稳定电压,基准参考电压产生电路输出与电源无关的基准参考电压,作为前置稳压电路的参考电压,通过反馈机制,实现稳定输出,从而为芯片在供电电压波动较大的情况下,提供稳定电压.采用BCD工艺模型对电路进行仿真,仿真结果证明此种稳压器的线性调整率为0.008%,负载电流由0上升至100 m A时,负载调整率是1.18%,当频率为10 k Hz时,电源纹波抑制比为-58 d B,频率为40 k Hz时,抑制比为-29.7 d B.
冯伟戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:误差放大器功率输出
SOC用400~800MHz锁相环IP的设计被引量:6
2008年
设计了一个基于锁相环结构、可应用于SOC设计的时钟产生模块。电路输出频率在400~800MHz,使用SMIC0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片核心模块工作电压为1.8V和3.3V。根据Hajimi关于VCO中抖动(jitter)的论述,为了降低输出抖动,采用一种全差动、满振幅结构的振荡器;同时,通过选取合适的偏置电流,实现对环路带宽的温度补偿。流片后测试结果为:输出频率范围400~800MHz,输入频率40~200MHz;在输出频率为800MHz时,功耗小于23mA,周期抖动峰峰值为62.5ps,均方根(rms)值为13.1ps,芯片面积0.6mm2。
樊勃戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:时钟产生电路锁相环压控振荡器
一种用于斜坡补偿的振荡器设计被引量:3
2009年
电流控制模式的开关电源变换器在占空比D>0.5时,存在次谐波振荡问题,因此必须进行斜坡补偿。在分析了峰值电流模式的DC/DC转换器中斜坡补偿原理的基础上,介绍了一种用于斜坡补偿的振荡电路,该振荡电路主要是通过对电容充放电的控制产生所需要的斜波,从而应用于DC/DC补偿。电路基于0.35μmCMOS工艺设计,并在Cadence下对电路进行整体仿真。结果表明该电路能在较大电源电压及温度范围内正常工作,能够提供1MHz的振荡信号。
樊磊戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:振荡器斜坡补偿脉宽调制占空比DC/DC转换器
OFDM系统中流水线型FFT(IFFT)处理器设计被引量:1
2009年
通过流水线结构和乒乓RAM相结合,改进了时域抽取的Radix-4算法,实现了一种适合于OFDM系统的高效流水线型FFT(IFFT)处理器的VLSI设计。在时钟频率125 MHz下,完成一次1024点16bit位长的复数FFT需时49.57μs。
钟会新戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:快速傅里叶变换蝶形运算
开关电容共模反馈电路建模与实现被引量:1
2016年
针对共模反馈控制信号偏低的缺点,提出1种新的主电路尾电流源结构以提高共模反馈控制信号幅值.应用时域、频域分析方法对开关电容共模反馈电路进行理论分析和推导并建立等效时域模型.在功能验证中,采用BCD工艺,以开关电容采样保持电路为例建立实际电路模型并进行仿真测试.结果证明,共模反馈电路不仅使输出差模信号毛刺减小,主电路共模抑制比增加,而且使共模反馈响应速度快、抗扰动性强、鲁棒性好.
冯伟戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:等效电路模型
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