周宏余
- 作品数：52 被引量：76H指数：6
- 供职机构：北京师范大学物理学系应用光学北京市重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市教育委员会共建项目更多>>
- 相关领域：理学生物学农业科学电气工程更多>>
- 低能离子注入植物种子的深度分布及生物效应机理研究被引量：6
- 2005年
- 采用四种物理测量方法扫描电子显微镜和能量色散x射线分析,质子激发x荧光分析,双光子激光扫描显微技术和正电子湮没技术测定了能量为200keVV+注入干花生种子的深度分布.测量结果表明,注入的低能离子在干种子花生内的深度远比TRIM95的理论计算值为高.对低能离子注入植物种子后的生物效应的机理进行了讨论.
- 陆挺周宏余丁晓纪汪新福朱光华
- 关键词：低能离子注入植物种子生物效应扫描电子显微镜能量色散花生种子
- 低能钒离子注入花生种子的深度分布被引量：7
- 2001年
- 采用卢瑟福背散射(RBS)和X射线能谱分析法(EDAX)对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量 ,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明 ,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构 ,RBS方法不适于测量钒在花生种胚中的深度分布 ,trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟 ,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外 ,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。
- 王超陆挺汪新福周宏余朱光华
- 关键词：种子
- 奇奇核^(170)Ta高自旋态及旋称反转研究被引量：2
- 2002年
- 用 97MeV的1 9F束通过1 55Gd( 1 9F ,4n) 1 70 Ta反应布居了奇奇核1 70 Ta的高自旋态 ,将1 70 Ta的 3个转动带推向了更高的自旋态 ,并观测到了半退耦带的旋称反转点 ,将其自旋值定在了 1 9.5 .首次比较系统地总结了稀土区半退耦带的旋称反转系统规律 ,并比较了该核区半退耦带与晕带的系统性差异 ,特别是这两个带在能量劈裂程度上存在着系统性差异 .从这一现象出发 ,探讨了半退耦带与晕带旋称反转系统性差异的成因 ,指出p n剩余相互作用在这一现象中起着非常重要的作用 .
- 邓富国杨春祥孙慧斌吴晓光陆景彬赵广义韩广兵彭朝华尹利长温书贤李广生袁观俊周宏余刘运祚竺礼华
- 关键词：奇奇核高自旋态旋称反转
- 核物质对称能和重离子碰撞中径向流阈能的同位旋效应被引量：1
- 2007年
- 基于同位旋相关的量子分子动力学模型,采用三种不同形式的对称势,研究了124Sn+124Sn和124Ba+124Ba对心碰撞时在三种不同对称势下的径向膨胀流,发现径向膨胀流阈能与所采用的对称能形式密切相关,表现出明显同位旋效应,预示着径向膨胀流阈能的同位旋相关性可作为对称能的灵敏探针.
- 卞宝安周宏余张丰收
- 关键词：同位旋效应重离子碰撞
- 低能重离子注入花生干种子深度-浓度分布的方向效应研究被引量：10
- 2003年
- 用双光子激光扫描显微镜技术观测 2 0 0keVV+离子从不同方向注入花生干种子的深度 浓度分布 ,发现沿纵向和横向注入的离子在样品中的深度 浓度分布有显著差别 ,即分布具有方向效应 .
- 谢竞祎周宏余王平丁晓纪刘志国宋海陆挺朱光华
- 关键词：植物种子
- 稀土区奇质子Lu和Ta核旋称反转研究
- 2005年
- 研究了奇质子核Lu和Ta同位素链h11/2质子9/2[514]转动带旋称劈裂的系统规律,并与同一核区奇奇核的πh11/2νi13/2两准粒子转动带低自旋区旋称劈裂规律进行了比较,指出奇质子Lu和Ta核三准粒子带的旋称反转很可能是来源于h11/2准质子和i13/2准中子之间的相互作用。
- 王祥升杨春祥周宏余叶小琴
- 关键词：旋称反转
- 低能V^+注入花生种子的深度研究被引量：18
- 2002年
- 用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V+ 注入干花生种子的穿透深度 浓度分布。结果表明 :这种分布是有长拖尾的高斯分布 ;2 0 0keV的V+ 注入干花生种子的最大穿透深度为 1 3 6 μm。比较了实验结果与TRIM95的计算值。
- 汪新福陆挺周宏余朱光华丁晓纪
- 关键词：离子注入花生种子扫描电子显微镜DNA
- 3.3-27.8 KeVX射线能区Cu的光电截面测量
- 1990年
- 用质子激发单元素靶或化合物靶产生的特性X射线作为光源,用Si(Li)谱仪测量X射线谱,用穿透法测量Cu的质量衰减系数或总的衰减截面。上述光源的特点是:(1)信噪比好,比放射性同位素X光源或光机—二次靶组合光源的信噪比好1—2量级。(2)不象放射性同位素光源那样受限制,只要选择合适的元素作靶,就可得到一系列能量合适的X光源供实验使用。
- 王大椿杨华汪新福周宏余
- 关键词：穿透法CU线谱
- PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用被引量：11
- 2004年
- 采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅 (SiN)薄膜 ,再对薄膜进行快速热退火处理 ,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性 .通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率 ,发现退火后薄膜的厚度下降 ,折射率升高 ;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命 ,发现少子寿命有很大程度的下降 .还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响 。
- 叶小琴许颖李艳顾雅华周宏余王文静
- 关键词：氮化硅薄膜等离子增强化学气相沉积太阳电池
- 用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物
- 2001年
- 介绍了PIXE(质子激发X射线发射 )分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限 .用此分析技术 ,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定 .发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn ,Fe ,Cu等污染元素 .结果表明 ,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点 ,十分适合在这一领域的研究中应用 .
- 朱光华卢殿通汪新福周宏余
- 关键词：晶片污染物硅
