孙平
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：多伦多大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- PST陶瓷电容器对的红外辐射介电响应特性被引量：1
- 2006年
- 通过性状较为一致的(Pb_1-x_Sr_x)TiO_3(简称PST)红外敏感元电容器对的制备,将其设置在电脉冲读出电路中,通过脉冲电压的调制,可读出其温差下的介电响应特性,从而得到红外辐射的信息。测试表明,随着辐射强度的增强,电路中净充放电电荷值平缓地增加。表明用这种方法进行红外辐射的探测是可行的,其探测电路结构简单紧凑,且易作成阵列器件。通过进一步改进性能,可望发展出新一代IR探测器件。
- 王茂祥孙平
- 关键词：电脉冲铁电材料介电特性红外探测
- 磁控溅射制备PST薄膜的介电与铁电性能被引量：2
- 2006年
- （Pb1-xSrx）TiO3系铁电材料是一种互溶性较好的钙钛矿材料，本文采用磁控溅射法，在Si基底上成功地制备了结构致密、性能优良的PST铁电薄膜，其制备工艺可与Si微电子技术兼容。性能测试表明，其介电常数可达900，接近10^3量级，介电损耗较低，约在0．12-0．21之间（-10℃至60℃）。铁电性能也较好，其饱和极化强度可接近10μC／cm^2，矫顽场强约21kV／cm。
- 王茂祥孙平
- 关键词：磁控溅射介电性能铁电性能
- (Pb_(1-x)Srx)TiO_3铁电薄膜电滞回线的测试分析被引量：2
- 2006年
- 采用磁控溅射法制备了PST薄膜,讨论了其制备工艺并着重对其电滞回线进行了测试分析。从测试结果来看,其饱和极化强度PS典型值为19.0μC+cm2,剩余极化强度为6.6μC+cm2,矫顽场强为16kV+cm,热释电系数为10-4量级。表明所制备的PST薄膜具有较好的铁电性能。
- 王茂祥孙平
- 关键词：电滞回线铁电性
- 电脉冲读出模式下PST铁电陶瓷的红外探测特性
- 2007年
- 采用性状较为一致的(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷单元电容器对结构,结合相关电路的设计,对铁电材料的红外辐射探测特性进行了研究,测试结果表明,通过电脉冲模式读取不同温度下铁电材料的畴反转产生的开关电荷数来进行红外辐射强度的探测是可行的.通过进一步改进电容器对材料的铁电特性,改进探测电路,可望发展出结构更简单、功能更完善的新一代IR探测器件.
- 王茂祥孙平
- 关键词：电脉冲极化反转
- (Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析
- 2007年
- 采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低。随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加。
- 王茂祥孙平
- 关键词：介电特性测试分析
- 溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响
- 2006年
- 采用高频磁控溅射法制备了Si基（Pb1-xSrx）TiO3系铁电薄膜（以下简称PST／Si）。实验表明，合适的Ar、O2分压比，能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合，确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高，Au电极中将有大量的O离子严重渗透，从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5：1的PST／Si样品性能较好，其介电损耗约在0．12～0．21之间，热释电系数约为2．35×10^-2μC／cm^2K。
- 王茂祥孙平
- 关键词：磁控溅射
- 影响磁控溅射制备PST/Si薄膜介电特性的几个因素
- 2007年
- 采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料对介电特性也有重要影响。Al较Au电极易氧化,从而易在其与PST薄膜的界面形成一氧化层,增加了串联电阻,导致介电损耗总体上要低。工作频率对材料的介电弛豫特性及漏电导等也会产生影响。
- 王茂祥孙平
- 关键词：磁控溅射介电特性影响因素
