您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 5篇电池
  • 5篇硅薄膜
  • 4篇太阳能
  • 4篇太阳能电池
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇硅太阳能电池
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇图形化
  • 2篇气相沉积
  • 2篇微晶硅
  • 2篇微晶硅薄膜
  • 2篇非晶硅
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能级
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积法

机构

  • 6篇南昌大学

作者

  • 6篇崔冶青
  • 5篇黄海宾
  • 5篇周浪
  • 5篇高江
  • 1篇张东华
  • 1篇汪已琳
  • 1篇向昱任
  • 1篇龚洪勇

传媒

  • 1篇太阳能

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法
本发明提供了一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法。其结构为单晶硅片上一层掺杂类型相反的多晶硅薄膜作为发射极。多晶硅薄膜的结构及厚度、掺杂浓度分布均是可调的。其制备方法是:先低温气相沉积法沉积一层掺杂非...
黄海宾周浪崔冶青高江
文献传递
晶体硅太阳电池低温气相外延制结研究
在较低温度下实现气相外延沉积在制备pn结方面具有巨大的应用潜力,本文探索了采用射频等离子辅助化学气相沉积法(RF-PECVD)在基片温度200 oC低温条件下进行掺杂硅薄膜的气相外延的可行性,并研究了快速热处理法(RTP...
崔冶青
关键词:气相沉积法
文献传递
一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法
本发明提供了一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法,其特征是先利用低温气相沉积技术制备图形化的掺杂非晶硅或微晶硅薄膜,然后利用快速热处理方法获得图形化的掺杂晶硅薄膜。本发明可获得更加丰富的图形式样、可更加方便的调节...
黄海宾周浪高江崔冶青
文献传递
一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法
本发明提供了一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法,其特征是先利用低温气相沉积技术制备图形化的掺杂非晶硅或微晶硅薄膜,然后利用快速热处理方法获得图形化的掺杂晶硅薄膜。本发明可获得更加丰富的图形式样、可更加方便的调节...
黄海宾周浪高江崔冶青
文献传递
用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法
本发明提供了一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法。其结构为单晶硅片上一层掺杂类型相反的多晶硅薄膜作为发射极。多晶硅薄膜的结构及厚度、掺杂浓度分布均是可调的。其制备方法是:先低温气相沉积法沉积一层掺杂非...
黄海宾周浪崔冶青高江
文献传递
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究被引量:1
2013年
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。
龚洪勇周浪黄海宾向昱任汪已琳张东华高江崔冶青
关键词:氢化非晶硅
共1页<1>
聚类工具0