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康海涛

作品数:6 被引量:6H指数:2
供职机构:内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学医药卫生更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 5篇硅太阳电池
  • 3篇氮化硅
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅太阳电...
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇物理冶金
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机辅助设...
  • 2篇减反射膜
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇辅助设计
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇钝化
  • 1篇冶金
  • 1篇热蒸发
  • 1篇物理性能
  • 1篇光电

机构

  • 6篇内蒙古大学
  • 1篇黄河水电光伏...
  • 1篇内蒙古日月太...

作者

  • 6篇康海涛
  • 1篇柴燕华
  • 1篇李健

传媒

  • 2篇第13届中国...
  • 1篇电源技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2014
  • 3篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
冶金硅太阳电池多层减反射膜的设计及研制
采用导纳矩阵的法-等效界面模型和多层光学薄膜计算软件,模拟设计晶体硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜,然后结合实际生产电池片的减反射效果修正模拟参数,在计算机模拟和实验间找到平衡点.在设计时尽量使有最小反射率的光波长接近电...
康海涛李健倪明镜
关键词:减反射膜计算机辅助设计物理性能
掺Zn改善SnS_2光电薄膜的性能被引量:3
2013年
热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响。实验给出用Sn∶S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt%)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min。Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中。SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω.cm降低到2.0Ω.cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型。
康海涛李健柴燕华
关键词:热蒸发
物理冶金多晶硅太阳电池三层氮化硅薄膜的设计及研制
本项研究设计、研制出在物理冶金多晶硅太阳电池表面沉积三层氮化硅薄膜。将PClD太阳电池设计软件模拟筛选出的最优沉积薄膜的工艺条件,用于实验制作三层氮化硅薄膜。利用等离子增强化学气相淀积设备,淀积三层氮化硅薄膜。经多次实验...
康海涛
关键词:多晶硅太阳电池氮化硅薄膜
文献传递
晶硅太阳电池多层减反射膜设计与分析被引量:3
2019年
采用等效界面概念,通过导纳矩阵法,建立晶硅太阳电池多层膜模型,利用PC1D进行仿真设计研究,优化多层膜各层的厚度、折射率等参数,给出了多层膜的设计方法,得出优化后的多层膜参数。通过对一、二、三层膜优化设计及仿真对比,表明三层膜在单层膜的基础上使电池功率提高1.81%,为实际电池的工艺改进和性能提升提供了一种方法。
王鑫卢刚康海涛张治杨勇洲
关键词:氮化硅膜
多晶硅太阳电池多层减反射膜的设计及研制
采用导纳矩阵法-等效界面模型和太阳能电池计算机设计软件,模拟设计出多晶硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜.将设计得到的最优组合结果用于沉积三层氮化硅薄膜的实践中,用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法在多晶硅片上沉积氮化...
康海涛和江变倪明镜李健
关键词:减反射膜计算机辅助设计产品质量
文献传递
用PECVD技术间断性沉积三层氮化硅薄膜的研制及应用
物理冶金法提纯多晶硅技术具有产量大、成本低、不涉及化学过程及设备价格较低等优点。但与常规化学法提纯的光伏多晶硅材料相比,硼和金属杂质等含量还是有些高,所以使制作的物理多晶硅太阳电池的光电转换效率偏低,反向电流较大。不断降...
康海涛李健和江变马承鸿郭永强于利亚
关键词:钝化
共1页<1>
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