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纳米管温度计被引量：1: 2008年; 本文讨论了Ga／in填充纳米碳管和纳米氧化物管温度计的研制、发现、发展及前詈，概述了纳米碳管温度计（测量范围为50℃～500℃）的特征、温度记录方法及In作为纳米温度计内工作物质的可能性。通过对填充Ga所具有的特殊凝固和熔化特征的回顾，阐述了Ga填充纳米碳管作为低温纳米温度计（0℃～69℃）及Ga填充纳米MgO管作为高温纳米温度计（高于700℃）的可行性。最后，讲述了采用测量Ga填充纳米碳管的电阻来标定温度的方法及如何解决纳米温度计在实际应用中存在的问题。; 高义华张洪意王月姣张清风韩祥云李玉宝刘宗文占金华Golberg DDorozhkin PTovstong S黄德修板东义雄

ZnO、ZnS半导体纳米材料的制备及发光特性研究: 目前,有关ZnO、ZnS低维纳米材料的研究己经成为国际上半导体材料研究领域的热点之一。二者具有直接宽带隙,因其在紫外发光器件方面有着潜在应用而备受关注,在光电子、微电子和生物医学技术方面都有巨大的应用前景,如发光二极管、...; 张洪意; 关键词：半导体纳米材料氧化锌硫化锌发光特性; 文献传递

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张洪意