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李士颜

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇硅基
  • 7篇砷化镓
  • 7篇衬底
  • 6篇硅衬底
  • 6篇HEMT器件
  • 4篇氧化硅
  • 4篇抛光
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇化学抛光
  • 4篇沟道
  • 4篇二氧化硅
  • 4篇半绝缘
  • 4篇SI基
  • 4篇锗
  • 3篇刻蚀
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇GAAS材料
  • 3篇超高真空

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇周旭亮
  • 20篇李士颜
  • 20篇潘教青
  • 18篇于红艳
  • 12篇米俊萍
  • 12篇李梦珂
  • 8篇王圩
  • 2篇于鸿艳

年份

  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 9篇2013
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；步骤S2：刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层，以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
文献传递
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC<S...
李梦珂周旭亮于红艳李士颜米俊萍潘教青
文献传递
一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法
本发明公开了一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，高温退火30...
周旭亮于红艳李士颜潘教青王圩
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件，所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层，生长GaInP作为缓冲层，在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HE...
米俊萍周旭亮于红艳李梦珂李士颜潘教青
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；步骤S2：刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层，以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
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硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再...
周旭亮于红艳李士颜潘教青王圩
文献传递
硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法
一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；第一次退火后，在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层，形成样品；将样品的砷化镓盖层进行砷化镓...
周旭亮于红艳李士颜潘教青王圩
文献传递
一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法
本发明公开了一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2：经外延了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：...
周旭亮于红艳李士颜潘教青王圩
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一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法
本发明公开了一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，高温退火30...
周旭亮于红艳李士颜潘教青王圩
文献传递
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再...
周旭亮于红艳李士颜潘教青王圩
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