李文明
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
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- Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量：3
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁带宽度不同程度地减小;在光学性质方面,F单掺杂较Lu单掺杂和Lu-F共掺杂时在可见光区的吸收系数和反射低,反映前者在可见光范围具有较高的透射率。
- 张明举李文明郑树凯
- 关键词：ZNO第一性原理共掺杂光学性质
- Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算被引量：3
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。
- 李文明吴一刘晨吉郑树凯闫小兵
- 关键词：ZNTE共掺杂密度泛函理论
- Sr-F共掺杂CeO_2紫外屏蔽性能的第一性原理计算被引量：1
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)下的的第一性原理,通过Sr原子代替Ce原子、F原子替代O原子,建立同等条件下纯净的、Sr单掺杂、Sr-F共掺杂的2×2×1模型,并对其晶体结构进行优化,计算并分析了体系的几何结构、能带结构、态密度和紫外屏蔽特性。计算结果表明:掺杂导致晶格体系发生畸变,体积增大;引入了杂质能级,能带变密,禁带宽度增大;CeO_2紫外屏蔽增强,吸收谱线蓝移,紫外吸收阈值取决于O原子的2p轨道电子激发到Ce原子4f轨道空带。
- 张明举李文明吴一郑树凯
- 关键词：紫外吸收第一性原理
- 掺杂ZnTe的第一性原理研究
- ZnTe属于典型Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体，为直接带隙，禁带宽度为2.26eV，由于其具有禁带宽度比较大，光子可直接跃迁和可重掺杂等特征，在光电子器件的制造和太阳能电池的应用方面具有很大的研究价值。本文利用计算机对构建的材料模...
- 李文明
- 关键词：半导体材料电子结构
- 文献传递
- 单Mo和Mo/S共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构计算
- 2014年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了Mo单掺杂和Mo/S共掺杂锐钛矿相TiO2的能带结构、电子分态密度、电子密度和吸收光谱。结果表明,Mo单掺杂在锐钛矿相TiO2导带底下方引入了两条主要由Mo 4d轨道组成的掺杂能级,而Mo/S共掺杂在TiO2的禁带之内共引入了四条掺杂能级,位于价带顶上方的两条主要由S 3p轨道组成,而位于导带底下方的两条掺杂能级则主要由Mo 4d和S 3p轨道杂化形成。Mo单掺杂和Mo/S共掺杂分别使TiO2的禁带宽度增大0.36 eV和0.43 eV,从而出现吸收带边的蓝移。电子密度图表明,Mo单掺杂对TiO2的晶格影响较小,但Mo/S共掺杂则使TiO2的晶格畸变程度加大。
- 郑树凯李文明闫小兵李彦波
- 关键词：掺杂锐钛矿相第一性原理电子结构吸收光谱
- S掺杂CeO_2的第一性原理计算
- 2016年
- 为了探究S杂质对CeO_2体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过S原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的CeO_(2-x)S_x模型,并对CeO_2的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。结果表明:S掺杂后CeO_2的晶格常数发生改变;S掺杂使体系的导带和价带均向低能方向移动,随着掺杂浓度的增大,禁带宽度先减小后增大,并在禁带中引入3条杂质能级;CeO_2吸收边红移,并且随着掺杂浓度的增大,对可见光的吸收增强,对紫外光的吸收减弱。
- 张明举李文明吴一刘晨吉闫小兵郑树凯
- 关键词：第一性原理杂质能级光学性质
