王保童
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
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- 超短沟道高k栅MOSFET寄生电容
- 2013年
- 寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式.研究结果表明,减小源/漏区尺寸和栅极厚度可以减小寄生电容,沟道长度的变化对寄生电容几乎没有影响,栅介电常数的增加会使边缘电容减小.模型求解时精度高、运算量小,可直接用于电路模拟程序和器件设计.
- 王敏王保童柯导明
- 关键词：寄生电容高K材料
- 深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型
- 2013年
- 提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。不同于经典模型,该模型对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程,方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响。求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数,由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式。通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管进行了仿真,此模型计算结果与MEDICI仿真数据吻合较好,比电荷分享模型精度高。
- 周少阳柯导明夏丹王保童申静
- 关键词：阈值电压短沟道效应表面势金属氧化物半导体场效应晶体管
- 超短沟道MOSFET二维模型的半解析法求解
- 高性能、高速度、低功耗、微小化是现代集成电路发展的方向，集成电路中器件尺寸的不断缩小必然使得器件性能的物理效应发生变化。器件特征尺寸的不断缩小要求MOSFET的栅氧化层厚度不断减小，使得氧化层电容随着器件尺寸的缩小而成比...
- 王保童
- 关键词：半解析法寄生电容亚阈值电流
- 超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型被引量：5
- 2013年
- 本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
- 韩名君柯导明迟晓丽王敏王保童
- 关键词：半解析法电势阈值电压MOSFET
- 亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型被引量：1
- 2013年
- 本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
- 韩名君柯导明王保童王敏徐春夏
- 关键词：金属氧化物半导体场效应管栅氧化层空间电荷区
