您的位置: 专家智库 > >

王旭光

作品数:19 被引量:20H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科技发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇加速度
  • 6篇速度传感器
  • 6篇加速度传感器
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇悬臂
  • 5篇悬臂梁
  • 5篇键合
  • 4篇极板
  • 3篇熔石英
  • 3篇全金属
  • 3篇热压键合
  • 3篇微加工
  • 3篇微加工技术
  • 3篇微加速度传感...
  • 3篇锚点
  • 3篇刻蚀
  • 3篇激光
  • 3篇超快激光

机构

  • 19篇中国工程物理...

作者

  • 19篇王旭光
  • 8篇唐彬
  • 8篇沈朝阳
  • 7篇席仕伟
  • 7篇姚明秋
  • 6篇熊壮
  • 6篇赵宝林
  • 5篇郑英彬
  • 4篇陈颖慧
  • 4篇张照云
  • 4篇杨杰
  • 3篇李玉萍
  • 3篇谭刚
  • 3篇施志贵
  • 3篇程永生
  • 2篇陶逢刚
  • 2篇刘显学
  • 2篇杨晴
  • 2篇张慧
  • 2篇屈明山

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响被引量:8
2013年
选取Ti/Au作为金属过渡层来实现低温硅-硅共晶键合。首先介绍了共晶键合的基本原理,分析了选择金-硅共晶键合的原因,设计了单面溅金、双面溅金以及不同温度下的硅-硅共晶键合实验。采用超声波显微镜对键合样品内部空洞缺陷进行了测试,采用测试设备Dage 4000Plus对键合样品的键合强度性能进行了测试,并对测试结果进行了分析讨论。不同温度测试结果表明,380℃为最佳的金-硅共晶键合温度;单、双面溅金测试结果表明,双面溅金键合工艺优于单面溅金键合工艺。较低温度下实现较高键合强度的硅-硅键合实验表明,金-硅共晶键合的工艺简单、键合温度低,且对工艺环境要求不高。
陈颖慧施志贵郑英彬隆艳王旭光
关键词:键合共晶键合强度
一种缩短微电铸加工时间的方法
本发明提供了一种缩短微电铸加工时间的方法,属于微电铸工艺技术领域。本发明提供的缩短微电铸加工时间的方法,包括在衬底上依次制备第一光刻板、第一电镀镍、第一次平坦化、第二光刻板、第二电镀镍、去胶处理、电镀铜、第二次平坦化、去...
丰伟郑英彬王颉杨晴唐彬支钞高彩云孙强张青芝王旭光
文献传递
一种熔石英悬臂梁-质量块结构及其加工方法
本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域,本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤:根据悬臂梁‑质量块结构的图形,采用超快激光切割加工熔石英基片,在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道;清洗熔...
张照云沈朝阳王颉熊壮赵宝林刘振华王旭光屈明山郭建宏魏云川
敏感结构及加速度传感器
本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括边框,边框形成有第一容置空间;外隔离岛,外隔离岛设置于第一容置空间中且固定于边框,外隔离岛形成有第二容置空间;内隔离岛,内隔离岛设置于第二...
陶逢刚谢晋刘显学赵宝林熊壮杨杰王旭光
AlN压电薄膜的制备工艺被引量:2
2013年
采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。
陈颖慧王旭光席仕伟施志贵姚明秋
关键词:ALN薄膜射频反应磁控溅射
ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作被引量:3
2013年
传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。
陈颖慧郑英彬席仕伟唐彬王旭光张慧
一种石英摆片结构及其加工方法
本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域,公开了一种石英摆片结构及其加工方法。该石英摆片结构包括悬臂梁、质量块、边框以及多个凸台。加工方法包括以下步骤:先湿法刻蚀多个凸台以外的区域的熔石英基片形成多个凸台;其次,根据石英摆...
张照云赵宝林李枚王支荣熊壮王颉沈朝阳刘振华王旭光郭建宏魏云川
Au薄膜溅射功率对ZnO/Au复合薄膜质量的影响
2015年
在ZnO薄膜上采用不同溅射功率制作了Au薄膜,研究不同溅射功率对Au膜成膜速率、结晶质量和结合力的影响,表明在本实验中100 W功率下Au膜的成膜质量比较好。同时对Zn O薄膜电阻的影响进行了研究,结果表明溅射功率越高,ZnO导通的可能性越大,通过实验,溅射工艺在100 W下制备的Au薄膜对ZnO电阻影响最小。
王旭光姚明秋席仕伟徐韩
关键词:溅射溅射功率
不同薄膜沉积工艺对Au结构和ZnO电阻性能的影响
采用蒸发和溅射的制备工艺在ZnO薄膜上制作Au薄膜,研究不同沉积方法对Au膜结构的影响,表明溅射比蒸发制备的薄膜致密性更好.重点研究了不同溅射功率对成膜及对Au膜下ZnO薄膜电阻的影响,结果表明采用溅射工艺在100W溅射...
王旭光唐彬席仕伟
关键词:压电材料氧化锌薄膜金薄膜蒸发工艺
一种全金属电容极板微加速度传感器
本发明提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构,包括动极板和上、下固定极板;其中,动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是,所述的锚点与悬臂梁固定连接;悬臂梁和质量块固定连接,构成敏...
唐彬席仕伟姚明秋程永生李玉萍王旭光沈朝阳谭刚
文献传递
共2页<12>
聚类工具0