王永生
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京邮电学院计算机科学与技术系更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 半导体中深能级的磁光关联效应
- 1993年
- 利用掺金硅p^+n结样品,测出样品的深能级谱后研究磁场对深能级的影响。发现磁场使能级变浅,能级越深改变越小。如对样品再施以光注入,研究深能级在磁场及光注入下的关联效应,发现谱峰有较大的移动并显著加宽。
- 周凤林王永生杨茂田
- 关键词：深能级定域能级磁光效应半导体
- 用单片机产生有限带宽伪随机信号被引量：3
- 1994年
- 由线性反馈移位寄存器产生出周期为ｐ＝２^（１１）－１的伪随机白噪声，利用快速傅里叶交换及其逆变换去除了其中低于３５０Ｈｚ和高于５５０Ｈｚ的分量。
- 王永生梅杓春
- 关键词：伪随机信号白噪声傅里叶变换微处理机
- 用单片机产生高频任意波形被引量：1
- 1994年
- 介绍了用单片机产生高频任意波形的原理和方法。实验结果证实了这种方法的实用性。详细说明了其硬件和软件结构。
- 王永生梅杓春
- 关键词：微处理机高频信号发生器
- 电解过程的瞬态现象
- 1990年
- 本文研究了铅锡合金(重量百分比40:60)在KOH溶液中电解过程的瞬态特性,提出了电荷输运的电畴模型来说明实验现象的机理。
- 周凤林王永生龚剑荣
- 关键词：铅锡合金电解过程瞬态性能
- 半导体中深能级的磁光关联效应
- 1990年
- 本文以掺金硅为样品,研究了在光注入时磁场对样品中深能级的影响,以及磁场方向改变对深能级的影响等问题,并在理论上对这些问题加以探讨.
- 周凤林王永生
- 关键词：半导体磁光效应深能级
- AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究
- 1989年
- 用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.
- 周凤林王永生龚剑荣
- 关键词：外延层
- 二极对管的变频C—V和G—V研究
- 1991年
- 用自制的变频C-V和G-V测试系统研究了二极对管的C-V特性及其随频率变化的关系.发现结电容随频率的降低而明显增大,并伴有反常的尖峰出现.分析表明,半导体中的深能级杂质在低频下对结电容有显著影响.本文中还探讨了结电导—电压特性以及结电导对结电容测量的影响.
- 王永生周凤林
- 关键词：变频二极管C-V
- 电化学C—V仪的原理、结构及应用
- 1991年
- 本文叙述NY-1型电化学C-V自动测试仪的原理、结构、硬件和软件系统。以及对GaAs材料选用的电解液、电解液/GaAs结特性以及测试结果等问题.
- 周凤林龚建荣王永生
- 关键词：电化学C-V法自动测试仪
- InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究
- 1991年
- 本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10^(11)eV^(-1)·cm^(-2),τ_1=2.2×10^(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV^(-1)·cm^(-2),τ_Q=1.5×10^(-2)
- 王永生周凤林
- 关键词：INGAASP/INP异质结C-V测试
- 日地月三体系统的有序结构
- 1993年
- 一、引言众所周知,两体问题可以用牛顿运动定律详尽地求解,但是三体问题至今还未能一般地解出。月亮在地球引力场中运动,由于受大质量太阳的摄动,致使月亮运动理论成为天体力学中最困难的问题。虽然月亮运动的摄动理论可以给出与观测事实高度吻合的月亮位置,但是在复杂而繁琐的数值订算的背后。
- 王永生周凤林袁宏
- 关键词：太阳地球月亮
