祁琼
- 作品数：28 被引量：53H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用
- 马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽
- MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术，外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷，提高材料的均匀性，获得晶体质量完美的零缺陷材...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器探测器
- 一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路
- 本发明公开了一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，该半导体激光器驱动电路包括脉冲控制电路、驱动电路、高压端、低压端、TTL信号端和接地端，其中，脉冲控制电路同时连接于驱动电路、低压端、TTL信号端和接地端，驱动电路同时...
- 祁琼熊聪刘素平马骁宇
- 文献传递
- 波导集成光电探测器及光纤陀螺
- 本公开提供一种波导集成光电探测器及光纤陀螺，涉及光电探测器领域，一种波导集成光电探测器，包括：衬底；波导结构，设于衬底上，波导结构包括级联Y分支波导，级联Y分支波导的末级输出端分别设有弯曲波导，弯曲波导与级联Y分支波导末...
- 郝爽祁琼刘素平熊聪马晓宇
- 隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法
- 本公开提供一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一发光区；在所述第一发光区上生长第一反偏的PN结构；在所述的第一反偏的PN结构上生长第二发光区；在所述第二发光区上生长第...
- 熊聪祁琼林楠常津源刘素平马骁宇
- 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀)被引量：1
- 2022年
- 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不同条件下Si杂质诱导量子阱混杂的效果,当退火温度为830℃,退火时间为10 min,循环次数为3次时,达到最大波长蓝移量59 nm。分别在800℃5次10 min和830℃3次10 min退火条件下制备了非吸收窗口。与普通器件相比,制备非吸收窗口的器件阈值电流增大,斜率效率下降,工作电流大于10 A后器件斜率效率降低,电流-工作电流曲线呈现饱和趋势。相较之下,800℃5次10 min条件下对应的器件性能相对较好。工作电流达到15 A后普通器件失效,而制备了非吸收窗口的器件则在电流大于20 A后仍可正常工作,腔面光学灾变损伤阈值提高了33.0%以上。
- 王予晓朱凌妮仲莉祁琼祁琼李伟刘素平
- 关键词：半导体激光器量子阱混杂硅退火
- 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
- 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，包括：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；用去离子水冲洗bar条，并用丙...
- 胡理科熊聪祁琼王冠马骁宇刘素平
- 文献传递
- 光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法
- 一种光纤侧圆柱面镀膜旋转装置，包括：一平圆盘，该平圆盘的中心固定一中心轴；一公转件，该公转件为一筒状，套置于平圆盘的中心轴上，该公转件靠近平圆盘的一端横置有多个水平支杆，所述水平支杆的端部枢接有自转件，该自转件与平圆盘的...
- 冯小明赵懿昊祁琼刘素平马骁宇
- 文献传递
- 铁酸铋薄膜的阻变效应和导电机制被引量：4
- 2017年
- 针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流–电压(I–V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I–V曲线呈现出不同高低阻值的变化。通过对I–V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流。结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化。
- 朱慧张迎俏汪鹏飞白子龙孟晓陈月圆祁琼
- 关键词：导电机制
- 半导体器件芯片结构及其制备方法
- 本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上...
- 曼玉选祁琼彭岩刘素平马骁宇
- 文献传递
- 外延叠层多有源区激光器的结构优化设计被引量：3
- 2018年
- 基于分离的非对称大光腔结构,对激射波长为905nm的外延叠层三有源区大功率脉冲半导体激光器的外延结构进行优化设计。通过优化近场光场模式、自由载流子吸收损耗、相邻发光区之间距离以及掺杂浓度分布等关键参数,提高了器件的脉冲峰值功率,降低了内损耗和远场垂直发散角。研制的1mm腔长、100μm条宽的三有源区大功率半导体激光器,经由150ns脉宽和6.67kHz重复频率的脉冲测试,在34.5A脉冲电流强度驱动下实现了122W的脉冲峰值功率输出。器件的斜率效率为3.54 W/A,单个发光区实现了折合91.75%的内量子效率和2.05cm-1的内损耗,水平方向和垂直方向上的半峰全宽远场发散角分别为7.8°和27.6°。
- 侯继达熊聪祁琼刘素平马骁宇
- 关键词：激光器半导体激光器脉冲激光器
