覃莹
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_xO)_(3-x)陶瓷薄膜的制备及介电性能研究被引量：1
- 2008年
- 利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_x)O_(3-x)(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能。结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密。Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定。薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象。薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍。材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高。
- 陈敬峰杜丕一覃莹翁文剑韩高荣
- 关键词：射频磁控溅射介电性能
- 取向PT薄膜的溶胶-凝胶法制备及其对PST薄膜的取向诱导
- 采用溶胶-凝胶工艺,以TbCl3作为掺杂剂,在无规取向的ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了高度择优取向的PbTiO3(PT)铁电薄膜.通过对不同前驱溶液浓度、热处理工艺、热处理时间和温度制备的PT薄膜样品的XRD图谱进...
- 陈敬峰杜丕一覃莹韩高荣翁文剑
- 关键词：钛酸铅铁电薄膜
- 文献传递
- 取向PT薄膜的溶胶-凝胶法制备及其对PST薄膜的取向诱导
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶工艺,以TbCl3作为掺杂剂,在无规取向的ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了高度择优取向的PbTiO3(PT)铁电薄膜。通过对不同前驱溶液浓度、热处理工艺、热处理时间和温度制备的PT薄膜样品的XRD图谱进行分析,得出了较为优化的制备工艺,并在此基础上溅射沉积出具有明显择优取向特征的PST薄膜。很明显,以取向PT作为诱导层,可以得到择优取向的PST薄膜材料。
- 陈敬峰杜丕一覃莹韩高荣翁文剑
- 关键词：钛酸铅
