谭志良 作品数:80 被引量:234 H指数:8 供职机构: 中国人民解放军军械工程学院静电与电磁防护研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国防科技重点实验室基金 河北省科技支撑计划项目 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 兵器科学与技术 一般工业技术 更多>>
对某型电发火弹药电磁耦合效应的仿真分析 2009年 利用电磁仿真软件FEKO建立了某型电发火弹药模型和所需的电磁场环境,对某型电发火弹药的电磁耦合规律进行仿真分析。仿真结果表明,在弹体内部,引信位置场强与原场相比有所衰减,但是不如内部其他位置明显,而且比较稳定。弹体底部与外界场比较相似,特别在频率较高时更为明显;在弹体外部,不同情况下分别存在着沿z轴和x轴方向强弱交替的电场。 许滨 谭志良 谢鹏浩 吴勇关键词:FEKO 基于LMS算法的混合干扰对消模块的设计与分析 被引量:1 2016年 为了解决无线通信中多类型混合干扰问题,利用LMS算法设计和仿真了混合干扰对消模块;首先对LMS自适应噪声干扰对消原理和周期性干扰分离原理进行了阐述和分析,通过分析可知自适应对消器的对消效果与LMS自适应算法阶数、步长的选取密切相关,而输入信号的自相关矩阵直接决定LMS参数的设置,不同类型的干扰差异较大;然后对混合干扰对消模块进行了建模,证明了所设计模块的可行性和有效性;最后,在不同信干噪比(SINR)下分析了所设计模块的性能,得出混合干扰对消模块在低信干噪比时性能好于高信干噪比时的结论。 商贺 谭志良 李亚楠关键词:LMS算法 自适应对消 某设备在典型电磁脉冲环境下耦合效应的仿真分析 被引量:1 2008年 利用电磁仿真软件FEKO建立了典型高空核电磁脉冲环境和设备模型,研究了某型电子设备的电磁耦合规律.研究表明:设定的高空核电磁脉冲场环境基本满足实验设备的尺寸要求,为今后的仿真实验提供了参考;同型窗口耦合具有同一性;内部表面对耦合场具有反射增强作用;内部设备使得底部开口附近的耦合场非对称化;(y=0.5,z=1.1)与(y=-0.5,z=1.1)对应图形所存在的差异与右侧观察窗和后门窗口的位置密切相关;对称窗口的耦合场非对称分布和内部耦合场的强度明显增强(160 MHz除外),其具体原因是内部设备壳体对耦合电磁场的反射增强作用和内部空腔区域的变化造成了谐振频率的变化. 谢鹏浩 谭志良 张荣奇关键词:电子设备 改进的LMS算法在噪声对消中的应用 被引量:5 2015年 针对最小均方误差(Least Mean Squares,LMS)算法收敛速度和稳态失调之间的矛盾,在已有算法的基础上进行3个方面改进:利用误差信号自相关性对不相关噪声进行抑制、将步长设置为先固定后自适应,提高算法的收敛速度、减小稳态误差;调节步长因子中固定的参数,使其伴随步长变化进行调节,进一步减小稳态误差。将已有算法与改进算法同时用于Matlab仿真实验,仿真结果表明,新算法具有更快收敛速度、更小稳态误差和良好的消噪能力。 陈立伟 谭志良 崔立东关键词:LMS算法 稳态误差 自适应噪声对消 收敛速度 ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析 2013年 为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。 吴东岩 谭志良关键词:静电放电 半导体器件 一种正向射线追踪等分隔射线束的生成方法 本发明涉及一种正向射线追踪等分隔射线束的生成方法,该方法包括:将源置于非正多面体中心;将所述非正多面体每个面的中心与所述每个面的顶点连接;对所述每个面上的三角形进行几何分形,直至所述源与每个三角形顶点形成的射线束符合预定... 谭志良 毕军建 石丹 刘卓 关闯 褚杰 马立云 王玉明 谢鹏浩文献传递 不同ESD模型对集成电路的损伤效应研究 在三种标准的ESD模型下对某集成电路器件进行了注入损伤效应实验,结论有:建立起了集成电路芯片上的功率和能量(含平均值和峰值)与ESD放电电压之间的关系模型,可表示为函数:Y=AXB;不同ESD模型下器件的损伤阈值变化范围... 陈京平 刘尚合 谭志良 贺其元关键词:ESD模型 集成电路 文献传递 集成电路方波脉冲注入损伤效应实验研究 被引量:6 2006年 为了得到各损伤参数随脉宽的变化规律,寻找建立评价复杂EMP波形对集成电路损伤模型的依据,对2种典型的集成电路器件进行了方波脉冲注入损伤实验.结果表明:RAM6264损伤电压、电流及功率均随脉宽增大而减小,损伤能量处于某一小范围之内,可能属于能量损伤型器件;BG305损伤电压、功率随脉宽增大而减小,损伤能量随脉宽增大而增大,损伤电流处于某一个小范围之内,可能属于电流损伤型器件. 陈京平 刘尚合 谭志良 贺其元关键词:集成电路 方波脉冲 方波注入对组合电路损伤效应研究 被引量:2 2006年 以某型雷达系统为试验对象,选取典型系统的组合电路,进行方波脉冲注入对比试验,研究了电磁脉冲对系统中组合电路的损伤规律.试验表明:电磁脉冲对组合电路的损伤与电路结构有关,损伤过程是一个渐变的过程,注入脉宽越大其损伤电压越小,能量可能是造成电路功能损伤或失效的主要因素. 林永涛 谭志良 张荣奇关键词:方波 电磁脉冲 电路 集成电路静电放电电压与注入能量的相关性研究 被引量:2 2005年 为了研究静电放电注入时损伤电压与损伤能量之间的关系,本文进行静电放电电压与注入的平均峰值 能量之间的对应关系研究.实验采用静电放电模拟器在人体模型下对几种集成电路器件进行注入放电,通过 Agilent inifniium示波器记录并计算得到静电放电注入时相应的能量波形,取五次能量峰值的平均值记为该电压 下注入的峰值能量,采用曲线拟合的方法,得到注入的静电电压与平均峰值能量之间的关系表达式. 杨洁 刘尚合 国海广 谭志良关键词:集成电路 静电放电