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赵雪琴

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 2篇低温恒温器
  • 2篇电场
  • 2篇质谱
  • 2篇质谱仪
  • 2篇势垒
  • 2篇四极质谱仪
  • 2篇隧道效应
  • 2篇硒化锌
  • 2篇量子
  • 2篇量子信息
  • 2篇量子阱材料
  • 2篇光谱
  • 2篇光谱检测
  • 2篇光致
  • 2篇光致激发
  • 2篇非掺杂
  • 2篇ZNSE
  • 2篇插板阀

机构

  • 7篇山东大学

作者

  • 7篇徐现刚
  • 7篇赵雪琴
  • 7篇冀子武
  • 6篇郑雨军
  • 2篇李炳生
  • 1篇张磊
  • 1篇黄树来
  • 1篇郭其新

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法
消除ZnSe/BeTE II量子阱中内秉电场的方法，属光电材料制备技术领域，用分子束外延工艺制备II型量子阱材料，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱-势垒-势阱层等；本发明所生长界面结构的量子阱材料具有质量高、界面处晶格匹...
冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
文献传递
用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备
用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱层、势垒层、势阱层、隔离层及覆盖层；使用的设备为双生长室分子束外延系统，包括III－V族和II－VI族两个生长室。每个均带有固体源蒸发器、五维...
冀子武郑雨军赵雪琴李炳生徐现刚
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用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置，用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光...
冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
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消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法
消除ZnSe/BeTe II量子阱中内秉电场的方法，属光电材料制备技术领域，用分子束外延工艺制备II型量子阱材料，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱-势垒-势阱层等；本发明所生长界面结构的量子阱材料具有质量高、界面处晶格匹...
冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法
一种碲化锌/砷化镓（ZnTe/GaAs）异质外延层的制备方法，属半导体材料制备技术领域，采用金属有机化学气相外延工艺，以二甲基锌和二乙基碲为金属有机源，用氢气作为载气，用金属有机化学气相外延设备在砷化镓衬底上生长碲化锌外...
冀子武黄树来赵雪琴张磊郭其新徐现刚
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用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光谱...
冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
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用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备
用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱层、势垒层、势阱层、隔离层及覆盖层；使用的设备为双生长室分子束外延系统，包括III-V族和II-VI族两个生长室。每个均带有固体源蒸发器、五维...
冀子武郑雨军赵雪琴李炳生徐现刚
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