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辛倩
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52
被引量:9
H指数:2
供职机构:
山东大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
宋爱民
山东大学
徐明升
山东大学
刘奇迹
山东大学医学院
李江夏
山东大学医学院
单珊
山东大学医学院
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3篇
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2篇
2004
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一种利用β相氧化镓晶体(100)面内各向异性制备高性能日盲探测器的方法
本发明涉及一种利用β相氧化镓晶体(100)面内各向异性制备高性能日盲探测器的方法,包括:(1)条状β相Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶体的加工及定向:获得β相Ga<Sub>2</Sub>O<Sub...
辛倩
颜世琪
宋爱民
具有顶栅和底栅结构的氧化镓薄膜场效应晶体管
本实用新型涉及具有顶栅和底栅结构的氧化镓薄膜场效应晶体管,包括衬底、底栅电极、底栅介质层、氧化镓沟道层、顶栅介质层、顶栅电极、源电极、漏电极。其中,氧化镓沟道层是采用胶带剥离技术转移到衬底上,厚度很薄,热阻较小,散热效果...
徐明升
宋爱民
辛倩
刘雅璇
杜璐璐
文献传递
一种高散热性能双栅氧化镓场效应薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高散热性能双栅氧化镓场效应薄膜晶体管及其制备方法,包括衬底、底栅电极、底栅介质层、氧化镓沟道层、顶栅介质层、顶栅电极、源电极、漏电极。其中,氧化镓沟道层是采用胶带剥离技术转移到衬底上,厚度很薄,热阻较小,散...
徐明升
宋爱民
辛倩
刘雅璇
杜璐璐
文献传递
一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用
本发明涉及一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用,包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极;源电极和漏电极形成叉指结构。本发明在254nm的光照下,表现出优越的光电探测特性,包括...
辛倩
纪兴启
宋爱民
一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法
本发明的氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)半导体肖特基二极管,包括半导体层、阳极电极和阴极电极,特征在于:半导体层为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜,阳极电极为锡的...
辛倩
杜路路
徐明升
宋爱民
文献传递
一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
本发明涉及一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用,包括衬底、栅极、栅介质层、半导体层、源极、漏极、敏感层;衬底上生长有栅极、栅介质层,栅介质层上生长有半导体层、源极、漏极,半导体层、源极、漏极生长有...
辛倩
袁玉卓
宋爱民
文献传递
常染色体显性遗传并多指(趾)Ⅰ型一例家系HOXD13基因突变分析
并多指(趾)(Synpolydactyly, SPD,MIM 186000)属于并指(趾)(syndactyly,SD) Ⅱ型,典型的特征是:3、4指间或4、5趾间存在一个多余的指(趾),并与正常的指(趾)形成并指(趾)...
李妍
辛倩
单珊
李江夏
刘奇迹
一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用
本发明涉及一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用,智能日盲探测器包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、IGZO前沟道层、源电极和漏电极、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>背沟道层,IGZO前沟道层与...
辛倩
纪兴启
宋爱民
一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器及其制备方法
本发明涉及一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器及其制备方法,由6个N型薄膜晶体管,或2个P型和4个N型薄膜晶体管组成;衬底为柔性衬底,N、P型薄膜晶体管的半导体层分别采用N型、P型金属氧化物材料。本发明的存储器...
辛倩
杨进
宋爱民
文献传递
敲除miR-155可缓解Faslpr/lpr小鼠狼疮样表型
辛倩
党洁
单珊
边显丽
李江夏
刘奇迹
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