您的位置： 专家智库 > >

陈秀芳

作品数：182 被引量：132H指数：6
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 137篇专利
  • 38篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇理学
  • 30篇电子电信
  • 12篇一般工业技术
  • 7篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 88篇单晶
  • 42篇碳化硅
  • 34篇坩埚
  • 33篇石墨
  • 32篇SIC单晶
  • 26篇衬底
  • 25篇石墨烯
  • 25篇晶体
  • 20篇单晶生长
  • 19篇碳化硅单晶
  • 19篇硅单晶
  • 19篇SIC
  • 17篇籽晶
  • 16篇6H-SIC
  • 15篇半绝缘
  • 14篇石墨坩埚
  • 13篇SIC衬底
  • 11篇大直径
  • 10篇紫外
  • 10篇温场

机构

  • 182篇山东大学
  • 7篇国网山东省电...
  • 4篇中国科学技术...
  • 4篇国家电网有限...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇山东天岳晶体...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国矿业大学
  • 1篇纽约州立大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中兴通讯股份...
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇山东华光光电...

作者

  • 182篇陈秀芳
  • 170篇徐现刚
  • 125篇胡小波
  • 73篇彭燕
  • 48篇杨祥龙
  • 25篇蒋民华
  • 18篇赵显
  • 14篇李娟
  • 12篇姜守振
  • 11篇孙丽
  • 10篇宁丽娜
  • 10篇徐明升
  • 9篇王英民
  • 9篇张福生
  • 8篇王继扬
  • 8篇杨昆
  • 6篇王兴龙
  • 5篇于法鹏
  • 5篇程秀凤
  • 5篇杨志远

传媒

  • 19篇人工晶体学报
  • 4篇功能材料
  • 3篇无机材料学报
  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇化工学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇核技术
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇新材料产业
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十届全国固...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 14篇2023
  • 12篇2022
  • 11篇2021
  • 9篇2020
  • 16篇2019
  • 20篇2018
  • 16篇2017
  • 19篇2016
  • 16篇2015
  • 7篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
  • 7篇2007
  • 12篇2006
  • 1篇2005
共 182 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法，包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器，其中，所述坩埚置于石墨保温毡中，感应线圈位于石墨保温毡外侧，电阻加热器位于石墨保温毡内部，且位于坩埚的顶部或/和底部。采用感...
谢雪健胡国杰徐现刚彭燕胡小波陈秀芳王兴龙
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法
本发明涉及一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法。该坩埚包括外坩埚和内坩埚；所述外坩埚为发热体，内坩埚为生长坩埚；所述外坩埚和内坩埚之间的间距为5～10mm。本发明提供的一种用于生长接近平衡态SiC...
胡小波徐现刚陈秀芳彭燕杨祥龙
文献传递
一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
本发明涉及一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法。该方法包括：采用升华法将碳化硅源料加热至升华，根据剩余碳化硅源料形状判断温场情况，确定出高温区与次高温区域；在高温区与次高温区放置盛有掺杂剂的石墨坩埚；再填满源料...
彭燕徐现刚胡小波陈秀芳
文献传递
一种利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割6 英寸及以上尺寸SiC 单晶的方法
一种利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割6英寸及以上尺寸SiC单晶的方法，包括：采用浸有金刚石砂浆的金刚石线对所述SiC单晶进行切割。本发明所述方法中，金刚石线上的金刚石颗粒被电镀在切割线上，不会随金刚石线的高速运动被甩出，...
陈秀芳谢雪健徐现刚胡小波
一种基于石墨烯光学调Q开关的脉冲激光器
本发明涉及一种基于石墨烯光学调Q开关的脉冲激光器。包括泵浦源、前腔镜、激光增益介质和以碳化硅作为衬底的石墨烯调Q开关。其核心为石墨烯光学调Q开关，包括SiC衬底和生长在SiC衬底上面的石墨烯，载有石墨烯的一面朝向激光腔内...
于浩海徐现刚陈秀芳张怀金胡小波王正平王继扬蒋民华
文献传递
一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法
本发明涉及一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法，属于晶体材料加工技术领域，方法包括步骤如下：1)、采用抛光机，磨料为金刚石微粉，将金刚石粉、分散剂、水按比例配成抛光液，设定机器转速20‑40rpm，压力为100‑500g...
陈秀芳徐现刚杨祥龙彭燕胡小波王瑞琪
文献传递
AlN单晶生长研究进展被引量：2
2006年
A lN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景。本文综述了国际上A lN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍。
李娟胡小波姜守振陈秀芳李现祥王丽徐现刚王继扬蒋民华
关键词：氮化铝
一种去除 SiC 衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法
本发明涉及一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液...
陈秀芳孙丽徐现刚赵显
文献传递
一种在大直径6H/4H‑SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法
本发明涉及一种在大直径6H/4H‑SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法。该方法包括：将6H/4H‑SiC晶片硅面和碳面进行抛光、清洗，将加工好的6H/4H‑SiC晶片平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托架上，碳面朝下；升温...
陈秀芳杨志远孙丽徐现刚赵显
文献传递
沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶
2007年
本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。
姜守振李娟陈秀芳王英民宁丽娜胡小波徐现刚王继杨蒋民华
关键词：SIC微管
全选 清除 导出
共19页<12345678910>
聚类工具0