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韩江山

作品数:5 被引量:10H指数:2
供职机构:江苏大学能源与动力工程学院更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇数值模拟
  • 5篇值模拟
  • 3篇数值模拟研究
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇泡生法
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 1篇垫板
  • 1篇石墨
  • 1篇太阳能
  • 1篇涂层
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光伏
  • 1篇发射率
  • 1篇N4
  • 1篇

机构

  • 5篇江苏大学

作者

  • 5篇韩江山
  • 4篇左然
  • 3篇苏文佳
  • 3篇季尚司
  • 1篇刘方方

传媒

  • 2篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇科技资讯
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 4篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
多晶硅铸锭炉热场底部改进的数值模拟研究被引量:1
2013年
多晶硅铸锭炉热场的优化改进对于生长高质量的多晶硅极为重要。本文结合计算机数值模拟,对多晶硅铸锭炉热场的底部进行优化,并分析了这项优惠对温场、流场和界面的影响。模拟结果表明,热场优化后,杂质分布更加均匀,更有利于定向凝固过程。
高强韩江山沈永华夏小江
关键词:多晶硅数值模拟光伏太阳能
钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究被引量:4
2013年
泡生法蓝宝石单晶生长过程中,由于生长周期长、温度高,热场中钼屏的物理性质和形状都会发生变化,从而引起炉内温场的变化。通过计算机数值模拟,研究了钼屏发射率发生变化时,泡生法蓝宝石单晶生长中温场、流场的变化。模拟结果表明:随钼屏发射率增加,消耗功率也不断增加;在放肩阶段熔体等温线向下移动,流场也从2个涡流逐渐变成1个涡流;而在等径阶段和收尾阶段,这些变化都不明显。
韩江山左然苏文佳季尚司
关键词:泡生法蓝宝石数值模拟发射率
石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响被引量:5
2013年
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一。本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量。同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低。
季尚司左然苏文佳韩江山
关键词:数值模拟
泡生法蓝宝石晶体生长中固液界面形状的数值模拟研究
蓝宝石晶体具有特殊的晶格结构和优异的力学、光学和热学性能,使其成为LED等光电器件的理想的衬底材料。目前生长蓝宝石晶体最常用的方法是泡生法,它具有温度梯度小、晶体与坩埚不接触等特点。但泡生法蓝宝石晶体常带有位错、气泡、包...
刘方方左然韩江山
石墨垫板刻槽对生长大晶粒多晶硅杂质传输的影响
2013年
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一。铸锭生长过程中的杂质主要有C、N、O、金属离子及固体颗粒SiC和Si3N4。这些杂质能够降低晶片中少数载流子的寿命及太阳电池的填充因子;同时固体颗粒会造成切片过程的断线和晶片表面产生划痕。设计了一种新的方法生长大晶粒多晶硅,对石墨垫板进行刻槽处理,并采用数值模拟的方法模拟了该生长过程杂质的传输。模拟结果表明,刻槽的深度明显影响着初始生长时结晶界面上O、C和N的分布;同时刻槽深度越大,生长速率越快,越能够抑制晶体中SiC和Si3N4的形成。
季尚司左然苏文佳韩江山
关键词:数值模拟
共1页<1>
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