马智训
- 作品数：13 被引量：66H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 纳米硅薄膜的低温电输运机制被引量：12
- 2000年
- 在很宽的温度范围 (5 0 0— 2 0K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象 .发现原先的异质结量子点隧穿 (HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下 (5 0 0— 2 0 0K)的电导曲线 ,但明显偏离低温下的实验值 .低温电导 (10 0— 2 0K)具有单一的激活能W ,并与kBT值大小相当 (W～ 1— 3kBT) ,呈现出Hopping电导的特征 .对HQD模型做了修正 ,认为纳米硅同时存在两种输运机制 :热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hopping电导 .高温时 (T >2 0 0K)以电子隧穿为主 ,低温时 (T <10 0K)则以Hopping电导为主 .在此基础上给出了纳米硅完整的电导解析表达式 ,该表达式能很好地解释在 5 0 0— 2 0K的温度范围 ,本征和不同掺磷浓度纳米硅薄膜的电导率 .
- 徐刚毅王天民何宇亮马智训郑国珍
- 关键词：电输运
- 自镶嵌硅/氧化硅纳米微结构及光学特性的研究
- 研究人员采用PECVD技术制备了一系列a-SiO<,x>:H薄膜,利用红外吸收谱、微区Raman谱研究了薄膜的微观结构.在薄膜结构研究的基础上,该文主要研究了a-SiO<,x>:H的光学性质.研究人员测量了薄膜的室温光致...
- 马智训
- 关键词：光学性质纳米硅输运特性
- n-Hg_(0.80)Mg_(0.20)Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究被引量：3
- 2000年
- 通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 .
- 蒋春萍桂永胜郑国珍马智训李标郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气半导体薄膜输运
- 纳米硅光学特性的研究被引量：14
- 1999年
- 结合微区Raman谱 ,研究了镶嵌在SiO2 基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱 .观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象 .并发现在 1 .9～ 3.0eV的能量范围内 ,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系 ,这可能是间接带隙的特征 .在 0 .95～ 1 .6eV之间存在次带吸收 ,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态 .通过发光谱与吸收谱的比较 ,认为声子可能参与了发光过程 .
- 马智训廖显伯孔光临
- 关键词：纳米硅多孔硅吸收谱光致发光谱光学特性
- 调制掺杂Al_(x)Ga_(1-x)NGaN异质结磁输运研究(英文)
- 2000年
- 通过低温和高磁场下的磁输运测量 ,首次在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫 德哈斯振荡的双周期特性 ,发现在Al0 .2 2 Ga0 .78N GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气 (2DEG)的第二子带占据 ,发生第二子带占据的阈值 2DEG浓度估算为 7.2× 1 0 12 cm- 2 ,在阈值 2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为 75meV。
- 郑泽伟沈波张荣桂永胜蒋春萍马智训郑国珍郭少令施毅韩平郑有炓
- 关键词：异质结氮化镓磁输运二维电子气
- p-H_(1-x)Cd_xTe材料中轻空穴的性质研究
- 2000年
- 通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (MBE)生长的p Hg1-xCdxTe(x =0 2 2 4)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率 .此外 ,在实验中 ,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献 .实验值不仅具有明确的物理意义 ,而且有助于红外探测器模型的建立 .
- 蒋春萍桂永胜郑国珍马智训王善力何力褚君浩
- 关键词：红外探测器HGCDTE红外光学材料
- 氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究被引量：1
- 1998年
- 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a Si原子团和Si纳米晶粒有关 .
- 马智训廖显伯程文超岳国珍王永谦何杰孔光临
- 关键词：光致发光非晶态氧化硅微结构
- 纳米硅薄膜的Raman光谱被引量：19
- 2000年
- 通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 .
- 徐刚毅王天民李国华王金良何宇亮马智训郑国珍
- 关键词：纳米硅薄膜喇曼谱
- 掺铒硅光致发光的研究被引量：1
- 1999年
- 采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺铒硅光致发光强度的影响和规律 。
- 顾诠何杰陈维德许振嘉谢小龙谢小龙梁建军廖显伯
- 关键词：硅光致发光氧含量发光机理光电子学
- SiO_x∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究被引量：6
- 1998年
- 采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．
- 马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临
- 关键词：纳米硅氧化硅光致发光退火
