于芬
- 作品数：4 被引量：12H指数：1
- 供职机构：鲁东大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：山东省教育厅科技计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 铝原子掺杂氧化锌薄膜的制备与性能
- ZnO是一种直接带隙半导体材料,属于六方纤锌矿结构。由于(002)晶面的表面自由能最低,晶体有C轴择优取向的特性。作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO最具潜力的应用是在光电器件领域。IIIA族元素Al, In, Ga...
- 于芬
- 关键词：ZAO薄膜透光率电阻率
- 文献传递
- ZnO/Ag/ZnO多层膜的制备和性质研究被引量：11
- 2007年
- 采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶和直流磁控溅射Ag靶的方法制备了ZnO/Ag/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、紫外–可见分光光度计、四探针测试仪和金相显微镜对ZnO/Ag/ZnO薄膜的结构、光学透过率、方阻和稳定性进行了研究。结果表明,ZnO(60nm)/Ag/(10nm)/ZnO(60nm)薄膜呈现多晶结构,薄膜在520nm处的光学透过率高达87.5%,方阻Rs为6.2Ω/□。随着顶层ZnO薄膜厚度的增加,ZnO/Ag/ZnO薄膜的稳定性提高。
- 李俊闫金良杨春秀李科伟于芬
- 关键词：半导体技术透明导电膜多层膜光学性质电学性质
- 铝原子掺杂的氧化锌薄膜的制备与性能
- ZnO是一种直接带隙半导体材料，属于六方纤锌矿结构。由于(002)晶面的表面自由能最低，晶体有C轴择优取向的特性。作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，ZnO最具潜力的应用是在光电器件领域。ⅢA族元素Al，In，Ga等原子掺...
- 于芬
- 关键词：ZAO薄膜透光率电阻率半导体材料
- 文献传递
- 氧氩流量比对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响
- 2007年
- 为了研究氧气对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响,用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锌掺铝(ZAO)薄膜,靶材为锌铝合金靶,并研究了薄膜的透光率跟氧氩流量比的关系以及同一氧氩流量比下薄膜光学性能随温度变化的规律.实验结果表明,200℃下氧氩流量比为1:35时有最佳的透光率.250℃下氧氩流量比为1:30时有最佳的透光率;300℃下氧氩流量比为1:15时有最佳的透光率.同一氧氩流量比1:25时,200℃下制备的ZAO薄膜有最佳的透光性.温度更高或者更低都导致薄膜的透光性能变差.
- 于芬闫金良马秋明
- 关键词：透光率
