何宁
- 作品数：8 被引量：37H指数：5
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术金属学及工艺电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于MOSFET亚微秒固态调制器技术的试验研究被引量：8
- 2007年
- 报道了以高速MOSFET作开关进行的亚微秒强流刚管调制器技术的相关试验研究．试验中以电容作储能器件，感应叠加方式作为输出，并采用特殊的几何形状屏蔽结构，成功调试出了平顶为70ns、上升与下降沿20ns、重复频率20-24kHz可调变、输出最大脉冲电流40A的小型固态刚管调制器试验装置．
- 王相綦冯德仁何宁郝浩徐玉存赵枫尚雷
- 关键词：固态调制器屏蔽结构
- Linux PC和51系列单片机串行通信的设计被引量：2
- 2004年
- 介绍了一种采用Linux操作系统的PC机通过串口和MCS-51系列单片机进行通信的设计方法,给出了基本的硬件原理和通信程序设计的2种方法。实验证明,这种方案简单可靠、价格低廉,为Linux在工业控制等领域中的应用提供了一种解决方法。
- 何宁王相綦
- 关键词：LINUX单片机串行通信工业控制
- 磁矩进动阻尼引起相位滞后的实验测量和理论分析被引量：5
- 2004年
- 由于磁矩进动时阻尼作用的存在 ,脉冲磁场在金属材料中所产生的磁通量一般滞后于场 ,从而使穿过金属材料的脉冲磁场相位滞后 .对于非铁磁性金属材料 ,这种相位滞后非常微弱 ,而且由于趋肤效应和涡流的影响 ,阻尼作用导致的相位滞后难以观测 .给出了一种在有金属镀膜的陶瓷真空盒中测量这种相位滞后的实验方法及结果 .这种方法采用超薄、有绝缘条纹的隔离分区镀膜技术 ,在测量中适当选择测量点的位置 ,因而将趋肤效应和涡流的影响降低到最小 .
- 王相綦冯德仁尚雷裴元吉何宁赵涛
- 关键词：磁矩趋肤效应阻尼相位滞后脉冲磁场
- 基于CPLD﹑单片机和网络的固态调制器触发控制被引量：5
- 2006年
- 介绍了一种用于固态脉冲调制器的触发和控制系统。用CPLD非常方便地产生了固态调制器触发所需要的频率和宽度均可调节的脉冲信号,为了将来能通过网络在上位机上远程调节调制器触发信号,我们使用了单片机AT89C51和网卡控制芯片RTL8019AS。本文介绍了整个系统软硬件的设计原理。
- 王相綦何宁冯德仁
- 关键词：CPLD单片机RTL8019AS脉冲调制器
- 短脉冲MOSFET调制器及其触发控制技术的研究
- 用IGBT/(绝缘栅双极性晶体管/)和功率MOSFET/(金属氧化物半导体场效应管/)等固态功率开关器件代替氘闸流管开关是脉冲调制器技术的最新发展方向。固态调制器具有体积小、性能稳定和重复工作频率高等优点，目前国外各大实...
- 何宁
- 关键词：脉冲调制器MOSFETCPLD单片机
- 文献传递
- MOSFET调制器的实验研究被引量：13
- 2006年
- 介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。
- 王相綦何宁冯德仁李一丁
- 关键词：MOSFET调制器复杂可编程逻辑器件剩余电流
- 并联谐振变换器对小容量传输线充电的分析被引量：2
- 2003年
- 传输线电容量小而充电电压高时 ,传输线上的充电电压不稳定 ,影响输出脉冲电压的稳定。为此提出并分析了利用并联谐振变换器充电的方法及几组实验结果 ,证明这种方法可行。
- 冯德仁王相綦尚雷何宁赵涛樊宽军
- 关键词：充电电容量
- 基于MOSFET的6×10单元快速固态调制器被引量：8
- 2008年
- 利用快速高重复频率的脉冲凸轨技术可以实现合肥光源的光脉冲间隔的可调。为了获得这一快速高重复频率的强流短脉冲,采取基于MOSFET的固态调制器技术。设计出了一套10路MOSFET开关并联、6级感应叠加的实验样机结构,包括快速时钟信号产生、功率驱动电路设计、感应叠加式阵列结构。样机获得了底宽为100 ns、重复频率20 kHz、峰值电流60 A、峰值电压2 kV的功率脉冲。
- 徐玉存王相綦冯德仁郝浩何宁尚雷赵枫李为民
- 关键词：固态调制器现场可编程门阵列功率驱动
