叶辉
- 作品数：106 被引量：283H指数：9
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究
- 2011年
- 在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(～1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常规律并进行了原因分析.利用拉曼和荧光光谱研究了其应力和发光特性,发现在可见(500nm)和近红外(1350nm)的两个光致荧光峰出现.
- 张磊叶辉皇甫幼睿刘旭
- 关键词：锗量子点二氧化硅退火
- 一种红光螯合电磷光聚合物光电性能的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了螯合电磷光聚合物PFBtpIrm的光致发光、电化学和电致发光特性,并通过优化器件结构提高聚合物的电致发光性能.发现在聚合物中加入PBD使发光效率降低;而加入PVK空穴传输层后,由于能量有效地转移到电磷光聚合物中,器件性能提高.基于器件ITO/PEDOT/PVK/PFBtpIrm5/Ba/Al,在电流密度为10.0mA/cm2时,最大外量子效率为4.25%,饱和红光的色坐标为(0.69,0.29).
- 甄红宇罗潺朱德喜叶辉王军培
- 关键词：聚合物发光二极管电子传输材料空穴传输材料
- 环形叉指电极型压电鼓膜驱动器的制备及其性能测试被引量：4
- 2013年
- 制备了一种基于Pb(Zr52Ti48)O3(PZT52)材料的自适应光学用压电驱动器。驱动器采用鼓膜结构,其工作区域由主动层—PZT52压电层和被动层—ZrO2/Si复合层两部分构成。PZT52压电层采用环形叉值电极(IDT)驱动。采用Si(100)单晶作为衬底,并采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在其上制备ZrO2阻挡层和PZT52压电层,其中引入PbTiO3(PT)种子层有利于PZT52膜层的(110)择优取向。随后在其上热蒸镀Al顶电极,并采用光刻方法制备图形,得到的IDT电极最大环形直径为10.5mm,电极间距为0.05mm,中心非激活区域直径为2mm。鼓膜结构则通过对Si衬底背部进行各向异性湿法刻蚀(ODE)得到,保留的支持层厚度为5～10μm,直径为12mm。测试结果表明,压电驱动器阵列单元在100kV/cm驱动下,可产生6.5μm左右的形变量。最后利用有限元分析方法(FEM)拟合了压电驱动器单元的面型,并分析了其形变模式产生的内部原因。
- 尹伊曹贵川祁康成叶辉詹文博
- 以MgO为缓冲层的硅基铌酸锶钡薄膜取向特性与其波导结构的设计研究被引量：3
- 2004年
- 采用溶胶 -凝胶法在Si(1 0 0 )基片上制备出择优取向的MgO薄膜 ,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜 实验发现 ,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能 同时 ,用五层对称理想波导耦合模理论 ,以SBN为波导层 ,分析了波导损耗与厚度的关系 通过对计算出的理想结果与实际相结合 ,以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究 ,制备出高质量、低损耗的SBN薄膜 。
- 曹晓燕叶辉
- 关键词：损耗
- 一种生长有序硅基锗量子点的方法
- 本发明公开了一种在硅衬底上制备高密度有序锗量子点的方法。它首先利用阳极多孔氧化铝贴在RCA清洗过的硅片表面，通孔后放入分子束外延生长设备中进行锗量子点的生长。之后通过高温退火过程除掉模板，而留下周期排布的锗量子点结构。采...
- 叶辉张磊皇甫幼睿詹文博
- 溶胶-凝胶生长(111)择优取向的MgO薄膜被引量：7
- 2005年
- 用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si(100)和Si(111)衬底上制备出( 111 )择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线、摇摆曲线、原子力显微镜图来研究薄膜的微结构与基板取向、退火温度、薄膜厚度之间的关系.结果表明,在退火温度高于500 ℃时结晶,Si衬底的取向对MgO薄膜的取向没有显著影响.同时,退火温度的升高和薄膜厚度的增加都能使MgO(111)的择优取向性越来越好; Si的易氧化是导致镁醇盐经过高温分解结晶形成MgO(111)择优取向的主要原因.
- 曹晓燕叶辉
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 一种水葫芦与稻秸混合连续厌氧发酵过程中发酵液的总固体含量的检测系统
- 本发明公开了一种水葫芦与稻秸混合连续厌氧发酵过程中发酵液的总固体含量的检测系统，包括：盛放待测发酵液的样品槽，扣合在样品槽上的盖体，盖体有7个窗口，分别安装有透过波长不同的滤光片，位于样品槽上方的光源，位置可调的检测器，...
- 李晓丽周瑞清何勇聂鹏程叶辉
- 文献传递
- 一种低温磁控溅射制备低电阻率氮化钛薄膜的方法
- 本发明公开了一种低温磁控溅射制备低电阻率氮化钛薄膜的方法。采用单面抛光的基片作为衬底，选用超高真空磁控溅射设备，将基片放置于加热台面上；盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，进行磁控溅射；溅射后停止通入氮气和氩气，...
- 卢乾波叶辉白剑陈超楠
- 文献传递
- 高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备被引量：3
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层,利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜,获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数,研究发现,KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配,在氧气氩气的比例为1∶2,工作气压为1·0Pa,溅射功率300W,衬底温度300℃,退火温度为800℃的工艺条件下,能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪,原子力显微镜等仪器分析了薄膜的微结构.通过研究SBN薄膜的电流-电压特性(I-V曲线),发现了类似于半导体p-n结的特性,且结效应的强弱与结晶性能的好坏和是否有缓冲层KSBN相关.
- 李跃甫叶辉傅兴海
- 关键词：磁控溅射
- 基于压电聚合物薄膜可调谐Fabry-Perot滤波器的研究被引量：5
- 2010年
- 采用DBR/电极/间隔层/电极/DBR的结构形式制作滤波器,器件透光部分刻蚀以消除电光效应.测试滤波器透过率光谱,并通过加电压对滤波器中心波长进行调制.据实际结果得到腔的光学厚度为8.04μm,腔长在电场作用下收缩.在140V电压下,腔长收缩量约为0.757%.实验证明电致伸缩效应在调制中起作用.
- 周可余叶辉甄红宇尹伊沈伟东
- 关键词：可调谐电致伸缩
