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张宝顺: 作品数：501 被引量：192H指数：7; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

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石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉: 本发明涉及一种石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉，所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体结构。所述晶体生长炉，包括：位于反应室内的石墨托，以及设置在所述反应室周向的加热装置，其特征在于，所述石墨托为中部截面直径小...; 鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺; 文献传递

一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用: 本发明公开了一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用。所述突触器件包括：第一电极、第二电极和磁性功能层；所述磁性功能层设置于第一电极和第二电极之间；并且，所述磁性功能层包含两个以上铁磁层，两个以上所述铁磁层沿所述磁性功能层...; 曾中明张宝顺王启丽泰涂华垚陈倩

基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为Al<Sub>x<...; 徐峰于国浩李军帅邓旭光张丽宋亮范亚明张宝顺

基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比: 2017年; 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiN_x作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)结构,对比研究了两种器件的材料性能和电学特性。阴极发光测试表明HVPE的自支撑GaN衬底缺陷密度可降至6×10~5 cm^(-2)量级。自支撑GaN衬底上AlGaN/GaN HEMT结构具有良好的表面形貌,其表面粗糙度R_a仅为0.51 nm,具有较大的源漏电极饱和电流I_(DS)=378 mA/mm和较高跨导G_m=47 mS/mm。动态导通电阻测试进一步表明,自支撑GaN衬底上同质外延生长的GaN缓冲层具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT电流崩塌特性得到抑制。; 李淑萍孙世闯张宝顺; 关键词：电流崩塌

绝缘体的硅材料上加工极限纳米图形的电子束曝光方法: 本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法，其特征步骤依次包括：对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光；对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀...; 时文华王逸群曾春红张宝顺; 文献传递

用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量：3: 2002年; 尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .; 沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉; 关键词：立方相GAN SEM TEM 扫描电子显微镜透射电子显微镜

基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法: 本发明揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件及其制备方法，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导...; 徐峰邓旭光谭毅张宝顺

磁性随机存储器: 一种电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器。该磁性元件包括底电极层，形成在底电极层上的第一磁性层，形成在第一磁性层上的非磁性隔离层，形成在非磁性隔离层上的第二磁性层和形成在第二磁性层上的保护层或顶电极层，第一或第二磁性层的厚...; 曾中明方彬张宝顺; 文献传递

基于拉梅模式声波激励的磁电天线及其应用: 本发明公开了一种基于拉梅模式声波激励的磁电天线及其应用。所述磁电天线包括至少一个谐振单元，所述谐振单元包括具有声波反射结构的衬底，压电层，设置在衬底上，第一电极和/或第二电极，所述第一电极设置在压电层上，所述第二电极设置...; 林文魁云小凡吴东岷张宝顺曾中明刘义彰

氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法: 本发明公开了一种氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法。所述的方法包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，所述第二半导体形成在第一半导体上，且具有宽于所述第一半导体的带隙，所述异质结中形成有二...; 沈飞宇于国浩张晓东蔡勇张宝顺; 文献传递