曹玉萍
- 作品数：14 被引量：30H指数：3
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 利用磁控溅射及热氧化制备ZnO纳米棒及其光致发光特性被引量：3
- 2005年
- 在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒。用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了研究。经PL谱分析表明,在波长为280 nm的光激发下,在372 nm处有强近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射。
- 李玉国薛成山庄惠照石礼伟张洁珊曹玉萍孙钦军
- 关键词：纳米棒磁控溅射热氧化光致发光
- 氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响
- 2010年
- 利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征。结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响。简单讨论了GaN纳米线的生长机理。
- 曹玉萍薛成山石锋孙海波刘文军郭永福
- 关键词：GAN纳米线溅射
- 氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线
- 2009年
- 采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15min。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的结构进行了分析,结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构,且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响;采用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了测试,发现纳米线表面光滑,长度可达几十微米,表明采用氧化物缓冲层制备了高质量的GaN线。同时对GaN纳米线的生长机理进行了简单讨论。
- 曹玉萍石锋孙海波薛成山
- 关键词：氮化镓硅衬底磁控溅射缓冲层
- 纳米氧化镁颗粒和薄膜的制备
- 纳米氧化镁是一种新型高功能精细无机材料,有着不同于本体材料的光、热、电、力学和化学等特殊性能,在电子、催化、陶瓷等领域有广泛的应用.纳米氧化镁常用来做耐火材料、金属陶瓷,在化妆品、油漆、香粉、脂肪分解剂、医药擦光剂等方面...
- 曹玉萍
- 关键词：溶胶凝胶纳米氧化镁磁控溅射电泳沉积晶体结构超导薄膜
- 文献传递
- 电泳沉积法制备MgO薄膜被引量：6
- 2007年
- 采用电泳沉积法(EPD)在Si(111)衬底上制备出了MgO薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)谱、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了分析。结果显示所得样品为立方MgO多晶薄膜。
- 曹玉萍李玉国孙钦军
- 关键词：SI衬底电泳沉积
- Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。
- 孙海波石锋曹玉萍郭永福刘文军薛成山
- 关键词：氧化锌磁控溅射光学特性
- 氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
- 2010年
- 利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移。最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
- 薛成山郭永福石锋庄惠照刘文军曹玉萍孙海波
- 关键词：纳米线GAN钯催化
- 利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)被引量：2
- 2010年
- 基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.
- 郭永福薛成山石锋庄惠照刘文军孙海波曹玉萍
- 关键词：纳米线GAN光学特性钯催化
- 注碳外延硅的荧光特性研究
- 2006年
- 研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。
- 李玉国孙钦军曹玉萍王强王建波张秋霞
- 关键词：离子注入电化学腐蚀蓝光发射发光中心
- ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征被引量：2
- 2010年
- 在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右。初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理。
- 孙海波石锋曹玉萍薛成山修显武
- 关键词：氧化锌纳米棒
