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李仁挥

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇压电薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇制版
  • 2篇声体波
  • 2篇生长环境
  • 2篇双端
  • 2篇网络匹配
  • 2篇微米
  • 2篇回波
  • 2篇ZNO薄膜

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇朱昌安
  • 4篇李仁挥
  • 4篇汤劲松
  • 4篇周勇
  • 4篇郑泽渔
  • 2篇米佳
  • 2篇马晋毅
  • 2篇于新晓

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法
本发明涉及压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法，它采用反应磁控溅射法在晶体两端生长ZnO薄膜，晶体附着在夹具上。生长时，将晶体的两端对称于靶源中心线放置使晶体两端处于完全相同的辉光区包裹中，利用同一靶源在晶体两端同...
汤劲松朱昌安郑泽渔周勇李仁挥
压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法
本发明涉及压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法，它采用反应磁控溅射法在晶体两端生长ZnO薄膜，晶体附着在夹具上。生长时，将晶体的两端对称于靶源中心线放置使晶体两端处于完全相同的辉光区包裹中，利用同一靶源在晶体两端同...
汤劲松朱昌安郑泽渔周勇李仁挥
文献传递
声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法
本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，步骤为：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜；3)在底电极金属薄膜...
汤劲松朱昌安周勇郑泽渔米佳于新晓马晋毅李仁挥
文献传递
声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法
本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，步骤为：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜；3)在底电极金属薄膜...
汤劲松朱昌安周勇郑泽渔米佳于新晓马晋毅李仁挥
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