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李恩玲

作品数:71 被引量:159H指数:8
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省科技攻关计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 29篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇理学
  • 18篇电子电信
  • 13篇一般工业技术
  • 4篇轻工技术与工...
  • 2篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 19篇纳米
  • 15篇密度泛函
  • 15篇密度泛函理论
  • 15篇泛函
  • 15篇泛函理论
  • 14篇团簇
  • 14篇气凝胶
  • 9篇氮化镓
  • 9篇DFT
  • 8篇超临界干燥
  • 7篇溶胶
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 6篇甲醛
  • 6篇甲醛水溶液
  • 6篇GA
  • 6篇簇结构
  • 5篇碳气凝胶
  • 5篇间苯二酚
  • 5篇二酚

机构

  • 70篇西安理工大学
  • 17篇西北大学
  • 6篇西安交通大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇学研究院
  • 1篇西安应用光学...
  • 1篇咸阳师范学院

作者

  • 71篇李恩玲
  • 35篇马德明
  • 25篇崔真
  • 9篇王雪文
  • 8篇周如培
  • 7篇施卫
  • 6篇马红
  • 5篇刘满仓
  • 5篇陈贵灿
  • 4篇胡晓云
  • 4篇陆治国
  • 4篇高爱华
  • 4篇周引穗
  • 3篇王雪
  • 3篇薛英
  • 3篇郑新亮
  • 3篇苑永霞
  • 3篇朱红
  • 3篇吕玉洁
  • 3篇戴元滨

传媒

  • 6篇光子学报
  • 6篇原子与分子物...
  • 6篇西安理工大学...
  • 3篇物理学报
  • 3篇光学学报
  • 2篇计算物理
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇微电子学
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇计量与测试技...
  • 1篇应用光学
  • 1篇电子器件
  • 1篇集成电路通讯
  • 1篇中国测试
  • 1篇第三届全国纳...

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 12篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 2篇2000
71 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种氮化镓纳米片的制备方法
本发明公开的一种氮化镓纳米片的制备方法,具体步骤如下:步骤1:将固态GaCl<Sub>3</Sub>溶于去离子水中,取一定量的GaCl<Sub>3</Sub>溶液加入烧杯,然后依次将一定量的盐酸溶液、尿素、二水合草酸、聚...
李恩玲刘畅赵宏远郑艳鹏沈鹏飞白凯飞崔真马德明张琳沈洋
文献传递
氮化镓纳米片的制备及测试表征
2023年
二维GaN纳米结构的制备对二维GaN基电子、光电子等纳米器件具有重要意义。文章用化学气相沉积(CVD)制备二维GaN纳米片时用了液态金属催化剂,成功制备二维GaN纳米片,得到制备GaN纳米片的最佳工艺条件。通过对制备的GaN纳米片进行扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及X射线衍射仪(XRD)测试表征,结果表明制备的GaN纳米片是表面光滑、大小薄厚均匀、结晶度良好的六方钎锌矿结构GaN纳米片。
蔡晓平沈鹏飞崔真李恩玲高春昱
关键词:GAN液态金属
氮化镓纳米片的制备及测试表征被引量:1
2023年
二维GaN纳米结构的制备对二维GaN基电子、光电子等纳米器件具有重要意义。本文采用化学气相沉积(CVD)制备二维GaN纳米片时,使用液态金属催化剂,成功制备了二维GaN纳米片,得到制备GaN纳米片的最佳工艺条件。通过对制备的GaN纳米片进行扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及X射线衍射仪(XRD)测试表征,结果表明:制备的GaN纳米片是表面光滑、大小薄厚均匀、结晶度良好的六方钎锌矿结构GaN纳米片。
蔡晓平沈鹏飞崔真李恩玲高春昱
关键词:GAN液态金属
去除了表面致密层的有机气凝胶及其制备方法
本发明公开的去除了表面致密层的有机气凝胶的制备方法,具体为:步骤1,间苯二酚、甲醛水溶液、碳酸钠和水混合均匀;步骤2,将步骤1所得的混合液转移到恒温箱中静置1‑2d,得到溶胶;步骤3,将玻璃容器和玻璃盖子用碳酸钠水溶液洗...
沈洋成凤娇马德明崔真袁志浩李恩玲
文献传递
基于原位生长凝胶的氧化锌/石墨烯复合材料及方法
本发明公开基于原位生长凝胶的氧化锌/石墨烯复合材料的制备方法,具体包括如下步骤:步骤1,将氧化石墨烯水溶液、锌盐溶液与蒸馏水混合均匀,分四次向上述混合溶液中滴加碱性溶液,并不断搅拌均匀使碱与混合溶液充分反应,得到前驱体溶...
袁志浩沈洋袁佩崔真李恩玲马德明成凤娇钱永光
Si_(n-1)N和Si_(n-2)N_2(n=3~8)离子团簇结构及其光电子能谱的研究被引量:4
2007年
利用密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-311G(d)基组上对Sin-1 N和Sin-2 N2(n=3~8)阴阳离子团簇的几何结构和光电子能谱进行了系统研究。结果得到了各团簇的最稳定结构,Sin-2 N2离子团簇对称性比Sin-1 N离子团簇对称性好;Sin-1 N(n=3~8)离子团簇的几何结构在总原子数,n≤4时为平面结构,n〉4时为立体结构;Sin-2 N2(n=3~8)离子团簇的几何结构在总原子数,n≤6时为平面结构,n〉6时为立体结构;对于Sin-1 N^+团簇,总原子数是偶数的团簇比总原子数为奇数的团簇稳定;对于Sin-2 N^-及Sin-2 N2阴阳离子团簇,总原子数是奇数的团簇比总原子数为偶数的团簇稳定。
李恩玲马德明马红王雪文王雪苑永霞
关键词:离子团簇
未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构被引量:1
2013年
用密度泛函理论研究直径为9.5,15.9和22.5,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
李恩玲郗萌崔真程旭辉徐锐马德明刘满仓王雪文
关键词:纳米线电子结构密度泛函理论
GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法
本发明公开了一种GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法,具体步骤如下:步骤1,对硅衬底镀铂薄膜,然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理,退火结束后自然冷却到室温,得到衬底A;步骤2,将步骤1得到的衬底A与反应源...
崔真王霞赵娜娜李恩玲王少强
文献传递
基于自扩散-凝结协同作用的密度渐变碳气凝胶及方法
本发明公开的基于自扩散‑凝结协同作用的密度渐变碳气凝胶的制备方法,具体为:首选,将间苯二酚、甲醛、碳酸钠和水混合均匀然后静置;另外将间苯二酚、甲醛、碳酸钠和水混合均匀,静置;将上述两种混合溶液混合得混合液C,同时,将混合...
沈洋李恩玲马德明成凤娇崔真袁志浩
文献传递
Ga_nN_m^+(n=1~8,m=1~2)团簇的结构及稳定性的DFT研究被引量:10
2007年
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G*水平上对GanN+(n=2~8)和GanN2+(n=1~7)阳离子团簇的几何结构、稳定性和振动频率等进行研究,得到GanN+(n=2~8)和GanN2+(n=1~7)阳离子团簇的基态结构.其中,GanN+(n=2~8)团簇在总原子数≤6时,其几何结构为平面结构,总原子数>6时,其几何结构为立体结构,N原子位于立体结构的中心;GanN2+(n=2~7)团簇在总原子数≤7时,其基态几何结构为平面结构,总原子数>7时,其基态几何结构为立体结构;原子总数为奇数的团簇Ga4N+,Ga6N+,Ga3N2+和Ga5N2+的基态结构较稳定.
李恩玲马红陈贵灿王雪文
关键词:团簇稳定性
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