李旭
- 作品数：10 被引量：14H指数：3
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 有机纳米整流器的STM研究被引量：3
- 2002年
- 金属有机络合物Ag TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下 ,当电压达到某一阈值后可以从高阻态跃迁至低阻态。在一定的条件下 ,在低阻态的保持时间很短 ,且高低阻态间的转换可以重复。由于它们都是有机材料 ,根据这种特性 ,提出了一种新型有机纳米整流器的设想 ,并成功地制作了输出可控的有机纳米整流器的原型。
- 吉小松严学俭张群王伟军李旭华中一
- 关键词：STM
- 利用I-Z曲线的STM“接触”模式的电学测量和表面改性研究
- 利用 STM 对金属有机络合物电双稳材料 Ag-TCNQ 薄膜进行电学性质的表征与改性,在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态分别定义为一个存储单元的“0”与“1”状态。本文考...
- 李旭严学俭邱伟民张群王伟军华中一
- 关键词：STM隧道结表面改性
- 文献传递
- STM“接触”式测量中的整流效应被引量：3
- 2005年
- 在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
- 邱伟民严学俭李旭沈淼曾志刚张莉华中一
- 关键词：STM
- 利用I-Z曲线的STM“接触”模式的电学测量和表面改性研究被引量：3
- 2003年
- 利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag TCNQ薄膜进行电学性质的表征与改性 ,在针尖强电场的作用下 ,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态 ,这两种高低阻态分别定义为一个存储单元的“0”与“1”状态。本文考虑到在STM的常规恒流工作模式下 ,针尖与样品之间的隧道结对于电学性质的表征与改性具有影响。为此测量隧道电流It 对隧道结宽度Z的依赖关系I Z曲线 ,从而确定针尖刚好接触样品的接触点 ,利用STM进行了针尖与样品“接触式”的电学测量和表面电学改性研究 。
- 李旭严学俭邱伟民张群王伟军华中一
- 关键词：隧道结扫描隧道显微镜
- 基于STM的有机电双稳材料电学性质的表征与改性被引量：4
- 2003年
- 利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag—TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性，在针尖强电场的作用下，当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态，这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的“O”与“1”状态，在STM的常规工作模式下，测量了薄膜的电学性质的变化；考虑到在STM的常规恒流工作模式下，针尖与样品之间的隧道结是影响电学性质的表征与改性的一个不可避免的重要因素，而它并不是材料本身的属性，为此利用STM进行了针尖与样品“接触式”的测试与分析，并且与常规工作模式进行了比较。
- 严学俭李旭张群王伟军吉小松邱伟民华中一
- 关键词：STM
- 基于STM的有机电双稳材料电学性质的表征与改性
- 利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag-TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性,在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的'0'与'1'状态.在STM的...
- 严学俭李旭张群王伟军吉小松邱伟民华中一
- 关键词：表面改性电学性质扫描隧道显微镜
- 文献传递
- 利用STM制作有机LB膜超高密度存储器
- 2004年
- 利用有机材料制作高密度存储器是当前纳米电子学研究的一个热点.有机LB膜的有序分子排列和能精确控制厚度的膜层被认为是高密度存储器理想的基体.具有原子分辨率及纳米量级局域作用微区的扫描隧道显微镜(STM)的出现则提供了制作超高密度存储器一种有力的高技术手段.本文介绍利用STM在有机LB膜上制作超高密度存储器.以硬脂酸制备多层LB膜,其形貌由STM成像.施加于STM针尖上的脉冲偏压,在LB膜表面的局域区域产生足够的强电场,使该微区转换为低阻导电状态,以高、低阻态分别表示两种逻辑状态,就完成了一次"写入"操作.LB膜材料的高、低阻态由STM的伏安特性(I-V)和扫描隧道谱(dI/dV-V)加以表征.用幅值较小的脉冲实现"读出"操作.该材料LB膜上存储的信息能保持很长时间,显示了潜在的应用前景.
- 严学俭邱伟民李旭马世红李淑红曾志刚沈淼张莉华中一
- 关键词：LB膜扫描隧道显微镜
- STM'接触'式测量中的整流效应
- 在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行'接触'式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应.这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
- 邱伟民严学俭李旭沈淼曾志刚张莉华中一
- 关键词：扫描隧道显微镜
- 文献传递
- STM“接触”式测量中的整流效应
- 在利用扫描隧道显微镜（STM）对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。
- 邱伟民严学俭李旭沈淼曾志刚张莉华中一
- 关键词：STM
- 利用STM构建金属有机材料的纳米结构和改变电学性质被引量：4
- 2003年
- 研究和开发利用扫描隧道显微镜(STM)对材料进行纳米尺度加工的功能,藉助于STM针尖和样品之间的强电场在金属有机络合物Ag TCNQ薄膜表面构建了纳米点、纳米点阵和纳米线等纳米结构。伏安(I U)特性曲线和扫描隧道的测试表明,在针尖强场作用后材料表面的局域电子态密度迅速增大,在电学上由高阻态转变为低阻态,这种效应可能归因于金属原子和有机分子之间的电荷转移。这些纳米结构展示了用作高密度存储器和纳米导线的可能性,有机导电材料将是未来纳米电子材料的理想候选者,而STM则将成为纳米电子学微细加工的有力工具。
- 严学俭吉小松李旭邱伟民张群王伟军华中一
- 关键词：扫描隧道显微镜
