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李正庭

作品数：17 被引量：27H指数：3
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目更多>>
相关领域：电子电信建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇建筑科学

主题

  • 8篇半导体
  • 7篇激光
  • 7篇激光器
  • 7篇半导体激光
  • 7篇半导体激光器
  • 3篇ZNO
  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇电流
  • 2篇电流电压
  • 2篇电压
  • 2篇数据采集
  • 2篇数据采集板
  • 2篇锁相放大
  • 2篇锁相放大器
  • 2篇通信
  • 2篇微机化
  • 2篇可靠性
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤通信
  • 2篇二极管

机构

  • 15篇吉林大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇厦门大学

作者

  • 17篇李正庭
  • 8篇杜国同
  • 7篇金恩顺
  • 7篇石家纬
  • 5篇李红岩
  • 5篇张源涛
  • 5篇高鼎三
  • 5篇杨树人
  • 4篇杨小天
  • 4篇王新强
  • 3篇李万成
  • 3篇郭树旭
  • 3篇刘大力
  • 2篇刘式墉
  • 2篇殷景志
  • 2篇杨天鹏
  • 2篇殷宗友
  • 2篇马艳
  • 2篇姜秀英
  • 2篇刘宗顺

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 2篇吉林大学自然...
  • 2篇中国激光
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1989
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抑制行波光放大器光激射的新方法
2002年
提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法 .实验结果表明 ,抑制效果显著 。
殷景志杜国同李宪龙张源涛王新强李正庭
关键词：倾角光纤通信增透膜反射率阈值电流
用电导数技术筛选可见光半导体激光器被引量：6
2000年
对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。
李红岩石家纬金恩顺齐丽云李正庭高鼎三
关键词：半导体激光器电导数可见光
半导体激光器的电导数测试和可靠性分析被引量：1
1993年
采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.
金恩顺石家纬马靖李正庭高鼎三
关键词：半导体激光器可靠性
半导体激光器可靠性检测分析方法及其装置
本发明涉及一种半导体激光器参数测试和可靠性分析的方法及装置。该装置主要由微机(1)、样品箱(3)、数据采集板(4)、电流电压转换电路(7)、光电探测器(30)、电压电流转换电路(10)及信号源(11)和锁相放大器(8)等...
石家纬金恩顺李正庭李红岩郭树旭高鼎三
文献传递
适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质被引量：1
2003年
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0mA偏置时可达 0 1dB。在较大的电流范围内 ,峰的半高全宽 (FWHM)为 4 0nm。
殷景志刘素萍刘宗顺王新强殷宗友李正庭杨树人杜国同
关键词：偏振不灵敏增益介质光纤通信
高精度半导体激光器恒温仪的研制及控温特性
1989年
采用PID校正网络研制了温度可调节的高精度半导体激光器恒温仪,测试结果表明,稳定度可达±2.0×10^(-3)C,并讨论了其控温特性。
李正庭石家纬金恩顺邓永芳
关键词：半导体激光器
电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选被引量：13
1999年
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。
李红岩石家纬金恩顺齐丽云李正庭高鼎三肖建伟刘宗顺
关键词：半导体激光器可靠性
InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析
2000年
本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚有 In As自组装量子点在表面形成 ;当 In As层的厚度为 4ML时 ,有大量的 In As自组装量子点在表面形成 ,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列 ,沿某一方向排列较多 ,而另一方向相对较少。
金智李明涛王新强李正庭杨树人杜国同刘式墉
关键词：量子点砷化镓
半导体激光器可靠性检测分析方法及其装置
本发明涉及一种半导体激光器参数测试和可靠性分析的方法及装置。该装置主要由微机(1)、样品箱(3)、数据采集板(4)、电流电压转换电路(7)、光电探测器(30)、电压电流转换电路(10)及信号源(11)和锁相放大器(8)等...
石家纬金恩顺李正庭李红岩郭树旭高鼎三
文献传递
一个检测半导体激光器质量的有效方法被引量：9
1996年
对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．
石家纬金恩顺李红岩李正庭郭树旭高鼎三余金中郭良
关键词：半导体激光器INGAASPINP激光器
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