李顺辉
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
- 发文基金：湖南省教育厅科研基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- The functionalization of graphene and two-dimensional boron nitride by transitional metal atom adsorption and doping
- 毛宇亮郝文平李顺辉谢召起钟建新
- 含空位二维六角氮化硼电子和磁性质的密度泛函研究被引量：1
- 2013年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含B原子空位(VB),N原子空位(VN),以及含B N键空位(VB+N)缺陷的二维氮化硼(h-BN)的电子和磁性质.在微观结构上,VB体系表现为在空位附近的N原子重构成等腰三角形,VN体系靠近空穴的B原子形成等边三角形,VB+N体系靠近空穴处的B和N原子在h-BN平面上重构为梯形.三种空位缺陷都使h-BN的带隙类型从直接带隙转变为间接带隙.VB体系的总磁矩为1.0μB,磁矩全部由N原子贡献.其中空穴周围的三个N原子磁矩方向不完全一致,存在着铁磁性和反铁磁性两种耦合方式.对于VN体系,整个晶胞内的总磁矩也为1.0μB,磁矩在空穴周围区域呈现一定的分布.
- 魏哲袁健美李顺辉廖建毛宇亮
- 关键词：空位电子结构磁性
- Ni(111)表面C原子吸附的密度泛函研究被引量：1
- 2012年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,对过渡金属Ni晶体与Ni(111)表面的结构和电子性质进行了研究,并探讨了单个C原子在过渡金属Ni(111)表面的吸附以及两个C原子在Ni(111)表面的共吸附.能带和态密度计算表明,Ni晶体及Ni(111)表面在费米面处均存在显著的电子自旋极化.通过比较Ni(111)表面各位点的吸附能,发现单个C原子在该表面最稳定的吸附位置为第二层Ni原子上方所在的六角密排洞位,吸附的第二个C原子与它形成碳二聚物时最稳定吸附位为第三层Ni原子上方所在的面心立方洞位.电荷分析表明,共吸附时从每个C原子上各有1.566e电荷转移至相邻的Ni原子,与单个C原子吸附时C与Ni原子间的电荷转移量(1.68e)相当.计算发现两个C原子共吸附时在六角密排洞位和面心立方洞位的磁矩分别为0.059_(μB)和0.060_(μB),其值略大于单个C原子吸附时所具有的磁矩(0.017_(μB)).
- 袁健美郝文平李顺辉毛宇亮
- 关键词：电子结构密度泛函理论
